嬰兒睡眠技巧描述：：創業板上市委：敷爾佳、波長光電首發過會，恒泰萬博被否。基于宏觀組裝石墨烯納米薄膜的室溫超快中紅外光電探測器研究背景肖特基結是最基本的電子結之一，具有高速工作、易于與硅電子器件和傳感器集成、成本效益高、制造工藝簡單等優點，在現代光電子器件中發揮著重要作用，可用于高速光通信和光電探測。但是在肖特基結中，高能載流子通過金屬層光吸收的光發射在室溫下的中紅外(MIR)光探測中失敗了。金屬在室溫下的強電子-聲子耦合（~0.1 ps的載流子弛豫時間）使得能量從熱電子快速耗散到晶格，導致光子能量低于勢壘高度和超低的量子產率。一些策略，如降低肖特基勢壘IR二極管中偏置相關的勢壘，已將探測帶寬擴展到中紅外范圍，但由于室溫下的高暗電流和器件噪聲，這些結的探測率(D*)較低。此外，由于金屬引起的間隙狀態，不明確的勢壘高度和費米能級釘扎進一步惡化了信噪比(SNR)。單層石墨烯(SLG)具有零帶隙、超快電子-電子相互作用和弱電子-聲子耦合（~1 ps的載流子弛豫時間）以及無懸鍵的2D表面，是一種用于室溫長波長光電探測的新興材料。SLG與半導體的范德華接觸改善了結界面，抑制了暗電流和器件噪聲。然而，SLG的2.3%光吸收和單原子厚散射距離顯著限制了熱載流子密度，尤其是在MIR區域。通過復雜的制造步驟將等離激元天線、量子點和微腔結構結合到石墨烯/硅(Si)系統中可以改善光子吸收，從而提高靈敏度和/或拓寬探測器的響應波長。而肖特基異質結的響應波長、響應速度和探測率將被犧牲。 成果介紹有鑒于此，近日，浙江大學高超教授和徐楊教授（共同通訊作者）等合作報道了一種用于超快中紅外光電探測的宏觀組裝石墨烯(nMAG)納米薄膜/硅異質結。組裝好的肖特基二極管室溫下工作在1.5-4.0 μm，在脈沖激光下具有快速響應（20-30 ns，上升時間，4 mm2窗口）和高探測率（從1.5到4.0 μm為1.6×1011到1.9×109 Jones），比單層石墨烯/硅光電探測器高出2-8個數量級。由于高光吸收（~40%）、長載流子弛豫時間（~20 ps）、低功函數（4.52 eV）和抑制的載流子數波動，這些性能歸因于nMAG中電子大大增強的光熱效應。nMAG提供了一個長遠的平臺來了解塊材2D材料中的熱載流子動力學，從而在室溫下實現寬帶和超快MIR有源成像器件。文章以“Macroscopic assembled graphene nanofilms based room temperature ultrafast mid-infrared photodetectors”為題發表在著名期刊Infomat上。科學家探索用于光電子的2D半導體 由澳大利亞莫納什大學科學家領導的新研究著眼于通過將2D鈣鈦礦與光學活性過渡金屬二鹵化物（TMD）連接來提高光電器件性能和擴展其功能的方法。2D鈣鈦礦和TMD在結構上不同，但是，由于堆疊層之間的范德華相互作用，它們可以形成干凈的界面。通過精確的第一性原理計算，作者證明了在2D鈣鈦礦/TMD異質結構中新的界面（能帶對準）和傳輸特性是可行的，可以根據成分的適當選擇進行廣泛調整。為了準確理解界面特性，作者創建了界面的晶格匹配結構，并使用超級計算工具通過高度內存密集的計算探索了界面的特性。在特定系統中，預測的具有NIR/可見帶隙的II型對準可以在相對較低的能量下增強光學吸收。此外，相當大的能帶偏移和具有較低分解能的層間激子的可能性可以導致兩種材料上的激發載流子更容易的層間分離。這些使得實現更高的光電流和改進的太陽能電池效率成為可能。研究人員還預測了I型系統用于基于復合的器件（如發光二極管）和III型系統實現隧道傳輸的可能性。此外，它們在這種2D鈣鈦礦/TMD異質結構中也表現出顯著的應變容限，這是柔性傳感器的先決條件。“總的來說，這些發現表明，計算引導的異質結構選擇可以為特定器件應用提供比固有材料更好的平臺，并在下一代多功能器件（如柔性光電傳感器或LED）中具有潛力。FLEET CI A/Nikhil Medhekar教授說，他與博士生Abin Varghese和博士后研究員Yuefeng Yin一起領導了這項工作。為了進一步探索2D異質結構的物理特性，該團隊與印度孟買理工學院的Saurabh Lodha領導的實驗人員合作，解釋了尚未發現的光電子現象的出現。在關于WSe2/SnSe2異質結構的第一項工作中，在照明時，光電流的極性顯示出對異質結構界面上的電輸運類型（熱離子或隧穿）的依賴性。上圖顯示了如何使用光或通過施加面外電場來控制WSe2/SnSe2異質結構上的電荷傳輸機制，這可以導致正或負光響應（R）。Monash的研究人員采用了基于密度泛函理論的電場相關能帶結構計算，并將這一觀察結果歸因于界面處能帶排列的性質。他們一起表明，從II型到III型的能帶排列變化導致光電流的極性從正變為負。就光電探測器的性能而言，響應度和響應時間是關鍵指標。在本研究中，在器件原型中實驗觀察到高負響應度和快速響應時間，這鼓勵了用于實際應用的基于2D材料器件的進一步開發。在另一種包含黑磷和MoS2的異質結構中，實驗表明照明波長依賴于光電導的極性。在MoS2的吸收邊緣以上的特定波長處看到的負光電導可以可控地和可逆地調諧到較低波長處的正光電導。負和正光電導之間交叉的閾值波長對薄片厚度具有關鍵的依賴性。Monash研究人員進行的與厚度相關的能帶結構計算清楚地表明，對于特定厚度，載流子的復合可能增加，這可能導致負光電導，從而有助于得出結論。這些研究證明了控制光電探測器傳感機制的新方法，但尚未對此進行詳細研究。參考文獻'Near‐Infrared and Visible‐Range Optoelectronics in 2D Hybrid Perovskite/Transition Metal Dichalcogenide Heterostructures'; Advanced Materials Interfaces (2022)'Polarity-Tunable Photocurrent through Band Alignment Engineering in a High-Speed WSe2/SnSe2 Diode with Large Negative Responsivity' ; ACS Nano (2022)'Wavelength-Controlled Photocurrent Polarity Switching in BP-MoS Heterostructure'; Advanced Functional Materials (2022)第三代半導體：新能源汽車+AIOT+5G撬動藍海市場，碳中和引領發展熱潮1.核心因素驅動：下游應用迭起+綠色能源需求+后摩爾時代驅動第三代半導體大發展1)下游應用迭起，第三代半導體因物理性能優異競爭力極強新能源汽車等下游應用需求高起帶動第三代半導體在大功率電力電子器件領域起量。快充裝置、輸變電系統、軌道交通、電動汽車和充電樁等都需要大功率、高效率的電力電子器件，基于SiC、GaN的電子電力器件因其物理性能優異在相關市場備受青睞。AIoT時代，智慧化產品滲透率將迅速提升，智能家居照明的商機空間廣闊。GaN在藍光等短波長光電器件方面優勢明顯。5G時代驅動GaN射頻器件快速發展。GaN器件工作效率和輸出功率優異，成為5G時代功率放大器主要技術。2)綠色能源需求迫在眉睫，第三代半導體助力“碳達峰、碳中和”目標實現第三代半導體有望成為綠色經濟的中流砥柱，助力光伏、風電，直流特高壓輸電，新能源汽車、消費電源等領域電能高效轉換，推動能源綠色低碳發展。舉例來看，若全球采用硅芯片器件的數據中心都升級為GaN功率芯片器件，將減少30-40%的能源浪費，相當于節省了100兆瓦時太陽能和減少1.25億噸二氧化碳排放量。3）后摩爾時代來臨，新材料新架構的創新支撐各類新應用蓬勃發展，其中第三代半導體為代表的核心材料是芯片性能的提升的基石材料工藝是芯片研發的主旋律。SiC、GaN擁有高的擊穿電場強度、高工作溫度、低器件導通電阻、高電子密度等優勢，在后摩爾時代極具潛力。2.供需測算：產業鏈各環節產能增長，但供給仍然不足我國產線陸續開通，第三代半導體領域6英寸8英寸尺寸晶圓漸成主流。截至2020年底，國內約有8條SiC制造產線，10條正在建設。7條GaN-on-Si產線，4條正在建設。供給端：我國2020年SiC導電型襯底產能（折合6英寸）約18萬片，外延22萬片，Si基GaN外延約28萬片。需求端：測算2025年我國僅新能源汽車板塊就需75萬片等效SiC6寸晶圓,僅快充部分就需要67萬片GaN相關晶圓，現有產能與需求差距較大，如不在2025年前加速擴產，供給會持續緊缺。3.成本測算：與傳統產品價差持續縮小，綜合成本優勢大于傳統硅基SiC、GaN器件與傳統Si基產品價差持續縮小。1)上游襯底產能持續釋放，供貨能力提升，材料端襯底價格下降，器件制造成本降低;2)量產技術趨于穩定，良品率提升，疊加產能持續擴張，拉動市場價格下降;3)產線規格由4英寸轉向6英寸,成本大幅下降。未來SiC、GaN綜合成本優勢顯著，可通過大幅提高器件能效+減小器件體積使其綜合成本優勢大于傳統硅基材料，看好第三代半導體隨著價格降低迎來大發展。投資建議：看好下游應用迭起+綠色能源需求+后摩爾時代驅動下第三代半導體大發展，推薦前瞻布局+高質量研發第三代半導體的優質龍頭企業，推薦三安光電/聞泰科技/立昂微；關注斯達半導/華潤微/士蘭微/納微半導體/華虹半導體/新潔能/揚杰科技/賽微電子/捷捷微電/華微電子/時代電氣/天岳先進/鳳凰光學/宏微科技風險提示：產業政策變化、國際貿易爭端加劇、下游行業發展不及預期隔夜黃金、原油大漲，今天大盤止跌回升概率大——早盤熱點信息分享1、歐美股市昨夜普遍收漲，黃金、原油期貨收中陽線上漲——繼續關注有色稀缺資源板塊，黃金概念股今天也會有量價齊升的可能；2、行業消息：1）、深紫外殺菌獲世衛組織認可、UV消殺產品應用迎來放量：光莆股份（300632）紫外消殺產品主要包括UV空氣消毒機、LED紫外殺菌儀、UV殺菌燈、UV模組等系列產品。公司安盾智控防疫系統（采用新型紫外消殺技術），可快速高效殺滅新冠病毒，阻斷病毒傳播。國星光電（002449）推出四大系列UVC LED消殺產品，覆蓋250nm-405nm波長領域。2）、全球首例患者完成豬心臟移植手術——據報道，美國馬里蘭醫科大學在新聞發布會上宣布，馬里蘭州一名57歲男子接受了首例轉基因豬心臟移植手術，術后3天情況良好。美國食品和藥物管理局于去年12月31日緊急批準了該手術。開能健康（300272）參股美國ASC公司，后者擁有全球領先的基因編輯技術（CRISPR/Cas9技術和TARGATT技術）和誘導多能干細胞（iPSC技術，獲諾貝爾獎）兩大技術平臺。冠昊生物（300238）與北京大學鄧宏魁教授共同組建北昊干細胞與再生醫學研究院，鄧宏魁教授與解放軍307醫院陳虎教授研究小組成功使用CRISPR基因編輯技術修改造血干細胞CCR5基因，在體內實現抗HIV病毒效果。 綜上結合昨天市場走勢看，還是延續結構化行情“二八輪動”，昨天大盤跌了，今天再下跌的空間小，更多注意力還是放在績優低位的行業股票上。 僅供參考，入市需謹慎！##股票##財經##我要上 頭條#微頭條小秘書//@姚忠華1940:好！好！好！終于有了自己的光刻機。 中華兒女就是這樣的有骨氣有智慧有能力，解決了世界尖端技術，再也不怕別有用心的人，困死我們的妄想破滅了。 努力吧，新征程有許多新問題，我們將迎刃而解。中華兒女沒有什么能阻擋得住我們。我們將完勝一切，因為為我們是中國人！玖芯科技國內首臺超分辨率光刻機已通過驗收并投入使用，這種光刻機由中科院光電技術研究所研制，采用表面等離子超衍射光刻，通過波長較短的等離子體，在涂抹光刻膠的晶圓上進行光刻，單次曝光即可達到22nm、多次曝光可制造出10nm芯片。#國產光刻機00:07【譜線科技-外腔半導體激光管產品推薦】外腔半導體激光管，采用分布布拉格光柵（FBG）或體全息光柵（VHG）反饋選模，可產生高功率、窄線寬（<100KHz）的激光輸出，并實現大范圍波長掃描，其特性適用于光譜研究等應用。譜線科技提供的外腔半導體激光管產品提供豐富的波長選擇（ 覆蓋633nm-1770nm ）以及多種封裝規格（TO-39，DIL,  Butterfly等），并可根據具體應用要求提供波長及封裝定制服務。產品特性：• 波長范圍：633nm~1770nm• 體全息光柵VHG反饋，高功率、窄線寬(<100KHz)激光輸出• 內置PZT大范圍掃描(>0.5nm)• 連續/脈沖工作模式#激光管##譜線科技##產品推薦##干貨##外腔半導體激光管##光電##波長##科研產品##精密儀器#【鈣鈦礦】鈣鈦礦光電轉換效率提升非常快，太陽光包含不同波長的光，而對不同層的鈣鈦礦調整元素的含量、占比，就可以擴大對太陽光的吸收范圍，從而提升轉化效率。目前，南京大學鈣鈦礦疊層電池效率達到28%，而瑞士的研究機構更是把效率做到31.3%。鈣鈦礦工藝更趨同于面板行業、沒有電池片環節、不需要份多個環節生產、產能投資僅為晶硅的一半、不需要銀漿、不需要稀有金屬；且鈣鈦礦的工藝溫度很低僅需120度內，比單晶硅的1400度的能耗降低；組件成本希望能夠降到0.5-0.6元。工藝上良率最大的挑戰是在每一組件的效率穩定（即結晶工藝難度）。鈣鈦礦劣勢是穩定性溫度低于晶硅為200度+，但符合絕大多數使用場景；對于潮濕狀態下、對封裝的嚴格程度要高。鈣鈦礦的穩定性優勢體現對雜質的高容忍度，能夠防止雜質擴散帶來的轉化效率衰減，能夠實現9000小時不衰減。鈣鈦礦用作雙結，和hjt/perc/或者其他底電池結合，應該是產業化空間最大，最有潛力的。但實際在疊層電池上，國內行業頭部目前做的都差強人意，牛津光伏目前是比較領先的。產業應用鈣鈦礦單結主要是鍍在tco玻璃上，用作bipv，主要應用場景是建筑幕墻。但是這一塊，本身就會跟碲化鎘、砷化鎵等其他金屬化合物電池形成競爭，沒有什么性價比。另外用作幕墻，消防、防風、防水都存在很長的消費者教育過程，商業化的可謂任重道遠。頭部鈣鈦礦企業如協鑫光電、纖納光電實現了百兆瓦級鈣鈦礦電池中試線的落地試產。太陽模擬器的精準測試對于推進鈣鈦礦太陽電池產業化進程有關鍵作用。協鑫的鈣鈦礦組件目前還沒能實現量產，真正的大規模量產時間，大概在5-10年期間。鈣鈦礦組件的效率商用后能穩定在25%。陜西眾森在國內首次推出大面積鈣鈦礦組件穩態模擬器，實現了光譜的精準調配與光強的準確控制，滿足了鈣鈦礦光伏組件產業化中快速準確檢測的需求，為光伏新技術發展添磚加瓦。2022年12月8日，極電光能宣布150MW鈣鈦礦光伏生產線正式投產運行，該產線是全球目前產能最大的已投產鈣鈦礦光伏生產線。通威股份鈣鈦礦實驗室已搭建完成，預計年內首片鈣鈦礦電池將會下線。京山輕機透露，公司子公司晟成光伏早在2021年5月與協鑫光電簽署了在鈣鈦礦疊層電池技術合作開發協議，目前項目正在穩步推進中。中來股份鈣鈦礦疊層電池正在研發中，現階段重點在進行與鈣鈦礦電池相匹配的底層電池的研發。武漢大學：二維硒化鉛的范德瓦爾斯外延生長及其高性能異質結器件研究背景近年來，非層狀二維材料的出現極大豐富了二維材料體系和拓寬了應用前景。基于非層狀二維材料所制備的光電探測器及其異質結器件也因其優異的光電性能而受到了廣泛關注。合成具有高光吸收系數的半導體材料，提升光電轉化效率，是制備高性能光電探測器的有效策略。另外，構建高性能異質結構器件是發展大規模集成光電應用的關鍵部分，范德華異質結器件可以通過調節二維材料的類型、能帶對齊、不同性質等來進行準確調控，對光電子器件的制備和應用都有著重要意義。因此，合成具有高吸收系數的二維半導體材料和構筑高性能的異質結器件值得探索。研究概述有鑒于此，近日，武漢大學物理科學與技術學院何軍教授課題組利用范德瓦爾斯外延技術，通過精確控制生長和溫度，在云母襯底上實現了大尺寸、厚度可調、具有高吸收系數的二維硒化鉛納米片。該工作系統研究了二維硒化鉛的形貌結構、電子能帶結構、電學輸運等特性。基于硒化鉛的光電探測器展現了多波長的光響應，其響應度可達~103 A/W，探測率可達∼2×1011 Jones。更重要的是，基于硒化鉛和二硫化鉬構筑的范德華異質結器件不僅展現了~106的整流比，還具有~3×103 A/W和~7×1012 Jones的響應度和探測率。該工作提出通過范德瓦爾斯外延技術生長策略，為可控制備具有高光吸收系數的二維半導體和構筑高性能異質結器件提供了新的解決方案。相關研究成果以“Van der Waals epitaxial growth of two-dimensional PbSe and its high-performance heterostructure devices”為題發表在著名期刊Science Bulletin 2022年第16期。圖文概要圖1 二維PbSe的形貌與表征(a) 二維PbSe納米片的范德華外延生長示意圖。(b) 二維PbSe納米片的可控制備。(c) PbSe/Mica界面的STEM圖。(d) PbSe的理論計算能帶結構。(e) 拉曼光譜。(f) XPS圖。(g) 高分辨TEM圖和相應的SAED圖。(h) EDS mapping圖。(i) XRD。圖2二維PbSe的電學性能表征(a) 在不同溫度下測量的二維PbSe的I – V曲線。(b) 二維PbSe溫度依賴的電導率。(c) 二維PbSe晶體管的轉移曲線。(d) 二維PbSe納米片溫度依賴的霍爾電阻。圖3在473 nm和808 nm光照波長下獲得的二維PbSe探測器的光響應特性(a,b) 473 nm和808 nm光照波長下，二維PbSe探測器的時間依賴的光響應特性。(c) 473 nm和808 nm光照波長下，光電流和功率之間的關系。(d,e) 473 nm和808 nm光照波長下，響應度、探測率和激光功率的關系。(f) 二維PbSe器件與先前報道的二維非層狀材料光電探測器的性能比較。(g) 不同溝道厚度的二維PbSe器件在暗態（虛線）和亮態（實線）狀態下的I – V曲線。(h) 光電流和暗電流和厚度之間的關系。(i) 響應度和探測率和厚度之間的關系。圖4 PbSe/MoS2晶體管的電輸運性能(a) PbSe/MoS2晶體管示意圖。(b,c) 不同正、負漏極電壓下的Ids – Vg轉移曲線。(d) 不同柵壓下的Ids – Vds輸出曲線。(e) 整流比和柵壓之間的關系。(f) PbSe的 Arrhenius曲線。(g) 不同柵極、漏極電壓下的PbSe/MoS2異質結能帶示意圖。圖5 PbSe/MoS2晶體管的光電特性(a) 在黑暗和不同激光下，PbSe/MoS2晶體管的Ids - Vg曲線。(b) 在不同柵壓下，PbSe/MoS2晶體管的I - t曲線。(c) 在不同光功率下，響應度與Vg的關系。(d) 在正、負柵壓下，PbSe/MoS2異質結能帶示意圖。文章信息：Jian Jiang, Ruiqing Cheng, Lei Yin, Yao Wen, Hao Wang, Baoxing Zhai, Chuansheng Liu, Chongxin Shan, Jun He. Van der Waals epitaxial growth of two-dimensional PbSe and its high-performance heterostructure devices. Science Bulletin, 2022, 67(16): 1659-1668, 網頁鏈接光子嫩膚——值得做一輩子的光電項目醫生護士都在做，真的靠譜每個醫院皮膚科都有[擊掌][擊掌][擊掌]