田小帥:盈方微(sz000670)7.25進點貨都能上套:幼兒營養攻略

時間:2023-12-23 02:26:12 作者:幼兒營養攻略 熱度:幼兒營養攻略
幼兒營養攻略描述::田小帥: 盈方微(SZ000670) 期待你的四度新產品上市 蒙古龍: 盈方微(SZ000670)7.25進點貨都能上套,你真是個臭垃圾 用戶5177613951: 盈方微(SZ000670)跌的時候三四個點的跌,漲的時候0.3個點的漲,真的是 抄底專業博士研究生: 盈方微(SZ000670)每次漲的沒有隔天跌的多,別漲了 探戈劉: 盈方微(SZ000670)今年年報是關鍵 吃吐瞎: 盈方微(SZ000670)明年底,總該有個結果了吧 morrimorri: 盈方微(SZ000670)穩定在7-8,估值合理,缺少熱點和溢價。 盈方微(SZ000670): 盈方微:北京市天元律師事務所關于盈方微電子股份有限公司2022年第三次臨時股東大會的法律意見 網頁鏈接 盈方微(SZ000670): 盈方微:2022年第三次臨時股東大會決議公告 網頁鏈接 大號韭菜香噴噴: 盈方微(SZ000670) 絕對是個假芯片 田小帥: 盈方微(SZ000670) 別掙扎了,趕快收綠,股價太高定增重組難度更大,快點破7塊吧! 瑪莎拉哥哥: 英唐智控:盈方微(SZ000670) 紫光國微(SZ002049) 打破激光芯片“卡脖子”格局造全產業鏈半導體 IDM 北方華創(SZ002371) 激光雷達已成為高等級智能駕駛汽車主要選擇。根據麥姆斯咨詢測算數據顯示,隨著汽車電子的高速發展,預計到2025年,全球激光雷達市場規模將上漲至108億美元。記者了解到,目前,英唐智控的MEMS振鏡主要應用于車用激光雷達的第一代產品已開啟銷售,第二代產品正在接受客戶測試。英唐智控董事長胡慶周在大會現場表示“英唐智控自2019年戰略轉型以來通過收購日本英唐微、參股上海芯石等已取得質的飛越,并且希望在未來3-5年內形成以電子元器件渠道分銷為基礎,半導體設計與制造為核心,集研發、制造及銷售為一體的全產業鏈半導體IDM(指從設計、制造、封裝測試到銷售自有品牌IC都一手包辦的半導體垂直整合型公司)企業集團。”MEMS振鏡屬于一種光學MEMS執行器芯片,可以在驅動作用下對激光光束進行偏轉、調制、開啟閉合及相位控制。在大會現場,英唐智控半導體事業群總裁孫磊也對公司的MEMS振鏡新品進行了簡單介紹,他表示,電磁驅動型MEMS振鏡作為英唐智控本次推出的核心產品,廣泛應用于汽車激光雷達、汽車HUD、微投影儀、AR眼鏡等多個領域,且目前已具有小批量生產條件。當前,MEMS振鏡的下游需求日漸走高,但國內具有MEMS振鏡量產實力的企業不多,此前占據較大MEMS振鏡市場的均是國外企業。以MEMS振鏡重要應用方向激光投影為例。近年來,激光投影由于更高清、使用壽命更長需求迅速上漲。目前,占據激光投影成本超14%的光處理芯片以美國TI的DLP芯片為主,且DLP光閥解決方案的核心MEMS振鏡則幾乎被TI(德州儀器)壟斷。在此情況下,英唐智控MEMS振鏡的推出有望為行業帶來變局。核心產品已開啟銷售激光雷達千億藍海待探索據悉,英唐智控日本子公司英唐微技術一直專注于光電轉換和圖像處理的模擬IC和數字IC產品的研發生產,在MEMS振鏡領域擁有非常豐富的研發經驗,已形成了14項專利技術,并擁有6英寸晶圓器件產線。目前,英唐智控的MEMS振鏡主要應用于車用激光雷達的第一代產品已開啟銷售,第二代產品正在接受客戶測試,激光雷達領域成為英唐智控進軍新賽道的第一站。激光雷達已成為高等級智能駕駛汽車主要選擇,國內激光雷達技術自主發展具有著重要的戰略意義。而MEMS振鏡,則能夠幫助激光雷達擺脫了笨重的馬達、多棱鏡等機械運動裝置,減少了激光雷達的尺寸,從美觀度、車載集成度多個角度為激光雷達“升級”。此外MEMS振鏡的引入可以減少激光器和探測器數量,極大地降低成本。根據麥姆斯咨詢測算數據顯示,隨著汽車電子的高速發展,預計到2025年,全球激光雷達市場規模將上漲至108億美元。此外,激光顯示方面的應用則是英唐智控MEMS振鏡下一代產品的目標。近年來,消費者對于大屏顯示體驗感要求越來越高。色彩更好、可靠性更高、更低功耗的激光電視、激光投影等激光顯示產品成為越來越多人的首選。據了解,MEMS顯示技術以卓越的圖像質量而聞名,此前主要應用于數字影院。隨著技術的發展,MEMS技術也可用于外形小巧且電池供電的設備。目前,激光顯示需求已開始成倍增長。據奧維云網(AVC)全渠道推總數據顯示,2022年三季度,家用激光投影銷量9.7萬臺,同比增長222%,銷額6.3億元,同比增長214%。根據168report市場數據,全球激光顯示市場預計在2028達到195億美元,年復合增長率為15.4%。未來,隨著越來越多利好政策的出臺,MEMS振鏡需求釋放潛力將提速。今年8月1日起,深圳施行《深圳經濟特區智能網聯汽車管理條例》成為首座對L3級乃至更高級別自動駕駛放行的城市,激光雷達作為重要元器件必將迎來更快增長;此外,工信部在2021年就曾表示將按照“十四五”規劃加大對激光顯示產業的支持力度,科技部則將激光顯示列為“新型顯示與戰略性電子材料”等“十四五”重點專項,政策鼓勵助力激光顯示產業發展。新興行業正在高速發展,在變革中尋找機會,令英唐智控成立20余年領先行業。市場與政策的雙重驅動下,英唐智控必將在新興行業的發展中貢獻力量。半導體板塊已經調整一年,萬億扶持計劃明年一季度開始落地,英唐智控已經W低,反彈在即。 久韭八十一難: 一、國產替代進入深水區,把握半導體產業投資機會1.1 2022年電子行業投資復盤 今年以來(截至2022年11月18日),電子行業下跌31.26%,在31個申萬一級行業中全市場排名靠后。2022年受全球經濟環境、半導體行業景氣周期波動以及疫情反復影響,終端消費類市場需求疲軟,產業鏈庫存調整向上游傳導,使得整個電子行業面臨一定的經營壓力。 具體來看,電子各細分行業均錄得負收益。半導體設備和材料板塊相對抗跌,由于晶圓廠持續擴產并加速導入國產設備和材料,相關公司訂單飽滿,行業景氣度逐步驗證,半導體設備和材料板塊從4月底以后開始走出獨立行情,在細分子板塊中相對表現較好。而芯片設計板塊由于下游需求下滑疊加上游晶圓漲價影響,跌幅較大(模擬芯片設計、數字芯片設計)。 今年以來(截至2022年11月18日),電子行業漲幅居前的個股分別為:寶明科技 (338.38%)、*ST盈方(268.44%)、傳藝科技(222.98%)等,漲幅靠后的個股分別為歌爾股份(-65.65%)、韋爾股份(-62.76%)、國科微(-58.58%)等。 受全球半導體景氣周期波動影響,海外方面,今年截至2022年11月18日,費城半導體指數下跌31.0%,臺灣半導體指數下跌25.8%,主要重點公司今年大多數錄得負收益。 1.2 2023年半導體行業投資把握四條主線 2023年半導體投資可以把握四條主線:1)由于美國出口管制加碼而導致的國產替代加速,看好半導體設備、零部件、材料方向:近期美國通過出口管制政策限制中國先進計算和先進半導體發展,未來限制有進一步延伸至上游材料和零部件的趨勢。在此背景下,半導體設備、材料的國產替代有望在國家持續支持下快速推進。我們看好半導體設備、材料及零部件未驗證通過的會進一步加速驗證,已驗證通過的會加速導入;2)以創新驅動帶來的產業趨勢,看好碳化硅方向:碳化硅基器件與傳統硅基器件相比,轉換效率更高,隨著下游新能源車、光伏、風電等領域保持高增,以及在下游高壓快充的催化下,碳化硅市場未來保持高景氣;3)受益于十四五期間軍隊裝備現代化加速,看好特種半導體方向:軍隊裝備現代化對芯片需求增加,同時國內特種半導體企業產品迅速發展,結合強國產替代需求,特種領域的 國產器件滲透率逐步上升。結合對特種半導體產品周期的把握,未來三年國內特種半導體企業保持高增速;4)明年隨著半導體行業下行周期逐漸進入后程,關注質地較為優質且目前估值處于低位的芯片設計公司:隨著疫情影響逐漸減小,目前部分下游細分領域出現需求復蘇跡象,疊加部分設計公司庫存已經出現改善跡象,根據歷史復盤來看,股價通常在基本面觸底前兩個季度體現,且目前設計板塊整體估值處于歷史低位,建議左側布局。 美國出口管制升級,健全新型舉國體制,加快實現高水平科技自立自強。美國商務部在半導體制造和先進計算等領域對華升級出口管制措施,對中國獲取高性能計算芯片、先進計算機、特定半導體制造設施及相關技術實施全面限制,同時限制已有進一步延伸至上游材料和零部件趨勢。 2.1 晶圓制造:美國對半導體出口管制升級,國內晶圓制造砥礪前行 出口管制加碼,成熟制程擴產持續,設備國產化率加速提升。美國商務部在半導體制造和先進計算等領域對華升級出口管制措施,包括九項新規則,旨在對中國企業獲取高性能計算芯片、先進計算機、特定半導體制造設施與設備以及相關技術實施進一步限制。同時,在將9家中國實體移出“未經驗證清單”過程中,又將31家中國實體列入,包括中國最大的存儲芯片制造商長江存儲,以及北方華創的一家子公司。此舉限制了中國先進制程晶圓廠產能建設,對國內成熟產能建設影響有限,先進工藝受限使得存儲產業面臨較大生存與發展壓力。但長期看,這將倒逼國內晶圓廠加速國產設備、材料、零部件驗證和導入步伐,半導體上游環節國產化將持續加速。 高端邏輯制程產能建設受阻,成熟產能建設影響有限。成熟工藝依然大有可為,據 IHS Markit 預測,2025年全球晶圓代工市場規模將達861億美元,其中成熟制程市場規模將達431億美元。主要應用于 MCU、移動設備、物聯網、汽車電子等。把握住成熟工藝, 做大市場占有率,與此同時抓緊攻堅成熟工藝相關的材料與設備,加速實現成熟產能的自主化,為國產供應鏈夯實基礎,并以后向上攀升打好基礎。 DRAM 產業影響有限,NAND 產業遭受重創。邏輯產品每個制程技術段都有大量需求,存儲產品卻不同,存儲產品作為標準品,要想保證競爭力,必須采用最先進的工藝,先進工藝制造的存儲芯片價格更低,一旦產品落后就失去競爭力和市場。分產品來看:DRAM 產品分為標準品和利基品,其中標準品技術工藝持續往先進制程推進,利基品市場主要采用19nm及以上工藝制程,國內長鑫存儲先進工藝將短暫受限,可以繼續專注利基市場,利基 DRAM 主要用于電視機、機頂盒等傳統消費市場。目前全球 NAND 產品主流工藝為128層及以上,龍頭企業占據128層市場之后逐步向200層以上推進,低層數產品競爭力和市場都比較小。 全球終端需求持續下行,晶圓產能緊張逐步緩解,資本開支負面影響開始顯現。受疫情、全球芯片需求放緩等因素影響,半導體市場遭遇“寒風”沖擊,產業進入調整時期,包括美光、臺積電等在內多家大廠紛紛下修資本支出計劃,涉及存儲器、晶圓代工兩大領域。 本土晶圓產能占比低,國產替代砥礪前行。據 IC Insights 數據,2021年我國IC產值僅占IC市場規模的16.7%,國產替代空間超過1500億美元,預計2026年該比例將提升至21.2%。近年來中國大陸晶圓產能增長迅速,但產能占全球比重仍較低,據 Knometa Research 最新發布的《全球晶圓產能報告》,截至2021年底,全球IC晶圓產能約為2160萬片/月200mm當量,同比增長超8%。其中中國大陸產能350萬片/月200mm當量,占全球產能比重16%,首次超越日本。外資晶圓廠占比較高,本土產能任重道遠。中國大陸產能中,除去SK海力士、Intel、聯電、三星、臺積電等在中國大陸的晶圓產能,大陸本土企業產能占比不足8%,與中國大陸本土消耗全球約24%芯片量相比,差距依然較大。另據 IC Insights 統計,2021年美國公司占據全球芯片市場銷售總額54%(包含 IDM 和 Fabless),中國本土企業占比僅為4%,其中IDM領域最為薄弱,占比不足1%。2020年中國大陸生產芯片產值227億美元,中國大陸本土企業生產僅占37%,其余均為在華外企生產。隨著美國出口管制加碼,再次倒逼國產替代的緊迫性,國產供應鏈建設刻不容緩。 2.2 半導體設備:出口管制大棒倒逼成熟制程設備加速導入,本土設備廠商利潤加速釋放 短期內貿易管制對國內設備廠商影響有限,晶圓廠陣痛期過后將迎來國產設備加速導入期。隨著后續國內企業抓住成熟市場提升工藝覆蓋率和市場占有率,我們對未來國內設備市場并不悲觀。合同負債和庫存快速增加,保障業績中長期增長。根據各公司中報披露,截至2022年6月末,萬業企業新簽訂單11億元;華海清科新簽訂單20.2億元,同比增長133%;中微公司新簽訂單30.6億元,同比增長61.8%,其余未披露詳細金額的設備企業,其存貨及合同負債的大幅增長反映在手訂單充裕,充分奠定半導體設備企業全年及下一年業績增長基礎。 成熟設備正進入利潤加速釋放期,新興設備企業驗證步伐加速。上半年半導體設備企業盈利能力實現增長,長川科技/北方華創/拓荊科技/中微公司2022年二季度單季扣非凈利率分別為 24%/15%/17%/25%,同比分別+16pct/+6pct/扭虧為盈/+18pct,盈利能力實大幅提升,國內半導體設備企業正進入利潤加速釋放期。 2.3 設備零部件:零部件迎晶圓廠和設備廠雙重利好,平臺化發展成趨勢 出口管制加碼,零部件迎晶圓廠和設備廠雙重利好。目前半導體零部件市場主要包擴兩個部分:1)全球設備廠商定制化生產或采購的的零部件及相關服務;據 VLSI 數據,全球半導體設備子系統市場銷售規模100億美元,其中維修和支持服務占46%,零部件銷售占32%,升級替換占22%;2)設備廠商直接采購的備件零部件或耗材及相關服務(包括定制化、工藝調試、測試等)。一般晶圓廠用零部件都是隨設備進廠,目前國產化率約20%, 隨著美國出口管制加碼,上游零部件安全越發得到關注,預期晶圓廠和設備廠會同時加速零部件國產替代,零部件廠商迎來難得加速期。 市場格局:目前美日處于主導地位。據 IC Word 2020年公開的44家半導體零部件供應商初步統計,美國供應商20家,占比約45%,日本供應商16家,占比36%,其余分布在德國、瑞士、韓國、英國等國家。零部件技術壁壘高,卡脖子風險凸顯。隨著全球缺芯持續延續,逐漸延展至半導體設備上游零部件,部分關鍵零部件由于芯片不能及時交付,導致設備付運周期進一步拉長,進而形成整個半導體產業鏈負反饋效應。梳理產業鏈發現,當前國內半導體設備如:射頻電源、微波電源、匹配器、真空傳輸系統、密封部件以及高級石英、陶瓷材料等部件基本都依賴 國外供應商,國內能夠替代的屈指可數,而以上這些設備價值量占整機設備60%以上,占營業成本90%以上。一旦被國外斷供,會促使整個半導體產業鏈中斷。本土化率低,增長空間巨大。根據 VLSI 統計,2020年全球晶圓制造設備市場規模636億美元,按照40%材料費假設,全球半導體設備零部件市場規模約254億美元。2021年全球半導體設備市場規模達1030億元,初步估算半導體零部件市場規模達400億美元,國產設備商采購金額達140~160億元。如果算上設備及晶圓廠商備貨及耗費需求,預估整體市場規模將達到500~600億美元。其中關鍵零部件國產化率基本在3%以內,國產化需求迫切。 國產零部件替代浪潮。2022年3月30日,萬業企業公告,參股子公司浙江鐠芯將迎來大基金二期等的增資,作為國內半導體行業風向標,大基金在繼投資半導體上游設備、材料之后再次瞄準設備零部件,開啟設備零部件國產化元年。與此同時,下游晶圓廠也逐步對半導體設備企業提出要求:凡涉及設備的關鍵零部件,必須要有除美國外的替代供應商,為了降本增效,零部件國產替代大勢所趨。 2.4 封裝測試:高端封裝加速滲透,先進封裝引領未來 高端應用持續滲透,先進封裝引領未來。封測企業將由產能交付能力競爭逐漸過渡至產品綜合能力競爭。1)汽車、工業及高性能計算滲透率逐步提高,營收結構逐步改善;2)積極切入高端封裝,產業蓄勢待發。高端應用持續滲透。隨著新能源、高性能計算、光伏以及工控等領域國產化需求驅動,本土封測企業逐步由傳統消費電子等中低端領域,逐步進入汽車電子及功率模塊、高性能計算、存儲器、MCU、顯示驅動以及5G等高技術含量、高附加值領域,一方面填補消費電子產能空缺,另一方面抓住中高端芯片緊缺的窗口期快速提升市場份額,盈利能力逐步提 升。 先進封裝引領未來發展。1)2022年3月,蘋果發布了最新一代的 M1 Ultra 芯片,采用臺積電第五代 CoWoS Chiplet 先進封裝技術,借助橋接工藝,完成了獨特的 UltraFusion 芯片架構。該款 Ultra 芯片擁有1140億個晶體管,是M1的7倍之多,兩顆 Max 之間的互連頻寬可達2.5TB/s,性能顯著提升。預期蘋果 M1 Ultra 芯片的發布將會引發新一輪先進封裝的熱潮。2)3月初,英特爾、臺積電、三星和日月光等十大巨頭宣布成立通用芯片互連標準—UCIe,將 Chiplet(芯粒、小芯片)技術標準化。這一標準同樣提供了“先進封裝”級的規范,涵蓋了 EMIB 和 InFO 等所有基于高密度硅橋的技術。3)三星電子在 DS(半導體事業暨裝置解決方案)事業部內新設立了測試與封裝(TP)中心,意味著三星電子將加強先進封裝投資,確保在后端領域上領先于臺積電。先進封測技術成為行業的熱點,未來10-20年,異構集成技術賽道換擋提速。 后摩爾時代,先進封裝屬于必然選擇。隨著晶圓工藝制程逐步進入到物理極限,摩爾定律進程放緩,成本快速增長,以倒裝、扇入/扇出型封裝以及晶圓級、系統級封裝為主的先進封裝以其低成本、高性能等優勢將重新定義封裝產業鏈地位。根據 Yole 的數據,2020年先進封裝全球市場規模304億美元,在全球封裝市場的占比45%;預計2026年先進封裝全球市場規模約475億美元,占比達50%。2020~2026年全球先進封裝市場的CAGR約7.7%,相比同期整體封裝市場(CAGR=5.9%)和傳統封裝市場,先進封裝市場的增長更為顯著,將為全球封測市場貢獻主要增量。 隨著全球各大晶圓廠和封測廠大力加碼先進封裝市場,先進封裝市場規模逐漸擴大。據 Yole Developpement 最新數據,2021年全球半導體廠商在先進封裝領域資本支出總計達119億美元。市場份額來看,預計到2027年,超高密度扇出(UHD FO)、HBM(高寬帶 顯存)、3D 內存封裝和有源硅中階層將占據50%以上市場份額,同時 3D NAND、嵌入式硅橋、3D SOC 和 HBM 復合增長率將達20%以上,市場增速可期。 臺積電、三星以及英特爾等晶圓廠商先后入局先進封裝領域,研發投入持續高增。自臺積電 2008 年進入先進封裝領域以來,已經推出了 2.5D 的 CpWos、扇出型晶圓 InFO 和 3D Faric 三類先進封裝技術;與谷歌和 AMD 共同研發 3D 堆疊晶圓級封裝;英特爾推進 3D“混合結合技術”;三星開發 3D-TSV 技術,可堆疊12個DRAM,同時研發出“X-cube”3D封裝技術,可以實現不同芯片的有效堆疊。國內長電科技與中芯國際合資進軍先進封裝領域,目前其 Fan-out、WLP、2.5D/3D 先進封裝業務已經占營收90%以上;通富微電 2.5D/3D 封裝平臺(VISionS)、超大尺寸FCBGA平臺、晶圓級和基板級 Chiplet 封測解決方案獲 得突破性進展;華天科技在 WLP、TSV、Bumping、Fan-out、FC 等多個技術領域均有布局。 發展方向:1)加大成品制造技術和產能的投資力度,規劃大規模晶圓級微系統集成新項目;2)高可靠高密度陶瓷封裝技術、高可靠塑封技術、晶圓級封裝、2.5D 硅轉接板、TSV 疊層封裝、SiP封裝技術;3)針對大功率功率器件及高可靠性汽車電子封測技術在迅速發展;4)基于先進封裝平臺開發特色封裝產品線。市場機遇:根據中國海關統計,2021年中國集成電路進口金額為4325.5億美元,同比增 長23.6%,2013-2021年,GAGR 為9.4%,國內市場自我供給不足問題沒有根本改變,進口替代方面機遇巨大。本土先進封裝占比持續上升,與全球尚存差距。2021年國內規模以上的集成電路封測企業先進封裝產品的銷售額占到整個封裝產業的36%左右,與全球45%的占比尚有一定差距。 3.1 半導體硅片:供需缺口確定,國內大硅片實現破局 硅片是材料中占比最大的細分領域,供需缺口和原材料價格上行推高硅片價格。根據 SEMI 數據,2020年全球半導體制造材料市場規模為349億美元,其中硅片市場規模為128億美元,是占比最大的半導體制造材料。目前半導體90%的芯片都需硅片作為基礎,所以半導體硅片市場規模與半導體市場規模變化趨勢具有一致性。根據 WSTS 統計和預測,全球半導體銷售額從2011年的2995億美元增至2021年的5510億美元,CAGR 為6.3%, 其中2019年和2020年出現的下滑分別由于貿易因素和疫情影響,之后由于5G的普及和汽車行業景氣度回升,2021年半導體規模創新高,對應全球硅片出貨面積從2011年的90億平方英寸增至2020年的125億平方英寸,CAGR 為3.7%,從硅片價格來看,2017年之后隨著需求逐步回暖,價格觸底回升,從2016年的0.67美元/平方英寸增至2020年全球半導體硅片單價為0.91美元/平方英寸,結合半導體產線的投產需要兩年左右的時間, 硅片價格有望保持。 需求端:從全球來看,根據 SEMI 數據統計,2021-2022年全球會新增29座晶圓廠,其中東亞地區12個,美洲6個,其余分布在歐洲和中東等地,另外12英寸晶圓廠占比較大,有22座,預計建設完畢后,這29座晶圓廠產能為260萬片/月(折合8英寸)。從中國大陸來看,根據芯思想數據,截止2021年年底,中國內地12英寸、8英寸和6英寸及以下的晶圓制造線共有210條。已經投產的12英寸晶圓制造線有29條,合計裝機月產能約131萬片;(其中外資公司裝機月產能超過61萬片);已經投產的8英寸晶圓制造線投有29條,合計裝機月產能約125萬片;已經投產的6英寸及以下晶圓制造線裝機產能約420萬片等效6英寸晶圓產能。 供給端:根據芯思想統計,8英寸來看,2020年中國內地拋光片和外延片裝機產能分別為206萬片/月和197.5萬片/月,預計2021年將分別達到261萬片/月和215萬片/月,預計分別同比增長26.7%和8.86%。12英寸來看,2020年中國內地拋光片和外延片裝機產能分別為41.5萬片/月和7.5萬片/月,預計2021年分別達到153.5萬片/月和23.5萬片/月,增速較快。12寸大硅片價格維持上行區間,8英寸硅片供需緊平衡。由于12英寸硅片下游需求增速塊,且上游擴產需要2年左右,所以目前供需缺口確定的情況下,12寸大硅片價格維持在上行通道。根據海外龍頭勝高預測,到2025年全球12英寸大硅片的需求量為900萬片/ 月,而結合目前硅片廠的擴產情況,盛高預測12英寸硅片價格還有20-30%漲幅。而8英寸硅片來看,新能源汽車等下游需求上升,目前暫未看到緩解情況,有望維持高位。目前國內企業在12英寸大硅片進展迅速。從12英寸大硅片進度來看,國內部分企業實現 突破,其中滬硅產業、立昂微、TCL中環等企業進展迅速,根據公司公告,滬硅產業子公司上海新昇12英寸半導體硅片產能已完成30萬片/月的安裝建設,并啟動新增30萬片/ 月的擴產建設;立昂微子公司衢州金瑞泓目前已建成15萬片/月的12英寸硅片產能;TCL中環截至中報已形成12英寸22萬片/月的產能,預計年底實現30萬片/月以上產能。 3.2 電子特氣:品類逐漸完善,高端產品進階 電子特氣市場規模持續快速增長,國內增速遠高于全球。受益于新興產業的快速發展,特種氣體市場規模呈現持續增長的趨勢。據 techcet 數據,2020年全球特種氣體市場規模約58.5億美元,預計在2025年達到80億美元,2020-2025年復合增速為6.5%。據智研咨詢數據,2020年我國電子特氣市場規模達173.6億元,近五年復合增速達15%,據前瞻產業研究院預測2024年我國電子特氣市場市場規模將達到230億元,2020-2024年復合增速為7.3%。電子特氣行業集中度較高。相比于傳統的大宗氣體,電子氣體行業由于具有較高的技術壁壘,市場集中度極高。2019年全球半導體用電子氣體市場中,空氣化工、林德集團、液化空氣和大陽日酸四家廠商控制了全球90%以上的市場份額,形成寡頭壟斷的局面。在國內市場,本土氣體公司僅占據12%的市場空間,我國電子氣體國產化程度還較低。 國內企業與海外龍頭存在差距。大部分國內廠商目前主供產品較為單一,純度級別有差距,尤其在集成電路等領域相關特氣產品主要依賴進口。根據中國工業氣體工業協會統計,中國僅能生產約 20%的集成電路生產用特種氣體品種,其余均依賴進口,主要集中在清洗、蝕刻、光刻等環節,對摻雜、沉積等工藝的特種氣體僅有少部分品種取得突破。氣體供應能力上升,國內特種氣體企業加速導入。2022年俄烏沖突導致全球稀有氣體供應變化,我國部分氣體企業進入進入國際市場,2022H1 我國稀有氣體出口量達191.31噸, 同比增長16%,同時出口金額超越進口金額達2.83億美元,同比增長739%。目前國內參與者主要有華特氣體、金宏氣體、派瑞特氣、和遠氣體、雅克科技、南大光電等。其中華特氣體自主研發的 Ar/F/Ne、Kr/Ne、Ar/Ne 和 Kr/F/Ne 這4種混合氣在2017年得到光刻機廠商 ASML 的認證,全球僅4家,公司是目前是國內唯一獲得認證的公司。派瑞特氣生產的三氟化氮、六氟化鎢及三氟甲磺酸系列產品在國內市占率第一;金宏氣體率先打破高純氨技術壟斷;南大光電的磷烷和砷烷等都也通過自主研發打破了國外技術壟斷。 3.3 光刻膠:國產替代是長期趨勢,高端產品陸續認證 光刻膠主要應用在半導體光刻工藝中,技術壁壘較高。光刻膠是半導體光刻工藝中最關鍵的材料,其技術壁壘高,研發難度大。主要成分是樹脂、感光劑、溶劑、添加劑等,光刻膠作為配方型產品,原料、用量配比及合成工藝具有較高 Know-how。光刻應用流程是在一定波長的光照下光子激發材料中的光化學反應,進而改變光刻膠在顯影液中的溶解度,實現圖形化。按曝光波長由大到小可分為 G 線膠(436nm)、I 線膠(365nm)、KrF 膠(248nm)、ArF 膠(193nm)和 EUV 膠(13.5nm),分別對應不同制程節點。在實際生產中,由于負性光刻膠在顯影時易發生變形膨脹,只能達到 2μm,正性光刻膠應用更為廣泛。光刻膠的性能指標主要有分辨度、感光性能(敏感度、感光速度、對比度)、粘滯性和粘附性等。2021年光刻膠整體市場規模持續大幅增長,下游行業景氣度帶動上游光刻膠需求。SEMI 數據顯示,2021年全球半導體光刻膠市場約為24.71億美元,同比增長19.49%,中國大陸光刻膠半導體市場從2015年的1.3億增至2020年的3.5億美元,復合增速超30%。光刻膠按下游應用領域進行分類可分為半導體用光刻膠、顯示面板用光刻膠和 PCB 用光刻膠。根據智研咨詢數據顯示,下游三大應用領域分布較為均衡,PCB 光刻膠、面板光刻膠、半導體光刻膠各占1/4左右。自2020年以來,全球晶圓市場以20%以上的速度迅速擴張,下游數據中心服務器及新能源汽車等行業的快速發展驅動晶圓廠積極擴產,這為上游半導體光刻膠增長提供動力。IC Insights 數據顯示2021年全球晶圓市場達1101億美元,預計2022年全球晶圓市值將突破1320億美元。 全球光刻膠市場主要被日本和美國公司壟斷。目前光刻膠主流廠商包括日本的東京應化、JSR、富士、信越化學、住友化學,以及美國杜邦、歐洲 AZEM 和韓國東進世美肯等。由于半導體光刻膠屬于高技術壁壘材料,生產工藝復雜,純度要求高,認證周期需要2-3年,新進入者導入有較大難度。隨著海外管制愈發嚴格,國內企業導入進展加快。國內公司集中于中低端市場,多分布在技術難度較低的 PCB 光刻膠領域,技術壁壘高的半導體光刻膠市場,國內有彤程新材(北京科華)、華懋科技(徐州博康)、南大光電、晶瑞電材和上海新陽等幾家,產品主要集中在 G/I 線光刻膠。目前北京科華和徐州博康實現量產 KrF 光刻膠。目前國內企業我國光刻膠面臨困難主要在于原材料、配方 know-how 少且驗證困難、客戶粘性強更換供應商意愿不高三個方面。然而近期國際形勢愈發錯綜復雜,逆全球化趨勢加強,美國加快與中國技術脫鉤,也使得國內客戶國產替代意愿提升。為保證上游供應鏈安全可控,國內廠商會加快國產光刻膠導入測試及替代,這有利于國產廠商縮短導入期及產品放量。 3.4 濕電子化學品:高等級產品逐步推出 濕電子化學品屬于關鍵性基礎化工材料。要求控制雜質顆粒粒徑低于0.5μm,金屬雜質含量低于 ppm 級,濕化學電子品的質量直接影響到電子產品的成品率、電性能及可靠性。濕電子化學品一般可分為通用濕電子化學品和功能性濕電子化學品。通用濕電子化學品一般是單成份、單功能化學品,例如過氧化氫、雙氧水、硫酸等。功能性濕電子化學品是指通過復配手段達到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復配類化學品,例如顯影液、剝離液、蝕刻液、清洗液等。按照 SEMI 分類,濕電子化學品可劃分為 G1-G5 五個等級。1) 半導體領域:基本在 G3、G4、G5 水平,我國的研發水平與國際巨頭有差距;2)平板顯示和 LED 領域:G2、G3 水平,國內企業生產技術能夠滿足大部分生產需求;3)光伏太陽能電池領域:一般只需 G1 水平,是目前國產高純化學品的主要市場。 全球濕電子化學品市場規模增速快,被歐美日三國壟斷。在半導體、平板顯示、太陽能等下游推動下,全球市場規模保持高增。據智研咨詢統計,全球濕電子化學品市場規模從2011年25.31億美元增至2020年的50.84億美元。據中國電子材料行業協會數據,2021年全球濕電子化學品需求量為458.3萬噸,其中半導體需求量209萬噸,占比約為45.6%。市場格局來看,呈現歐美日壟斷局面,據華經產業研究院統計,2020年歐美、日、韓的廠商占據全球濕電子化學品75%的市場規模。其中高端半導體領域主要被巴斯夫、三菱、住友等德、日廠商占據,中端平板顯示及中端半導體市場的主要競爭對手為韓國。 國內廠商集中在中低端,替代空間巨大。據中國電子材料行業協會統計,下游拆分需求來看,2021年國內半導體濕電子化學品需求量為70.3萬噸,平板顯示需求量為77.8萬噸,太陽能需求量為65.4萬噸。據智研研究預測,未來我國電子濕化學品市場規模由2021年117.46億元增至2027年210.38億元,年復合增長率10.20%。目前國內廠商產品主要集中在中低端,據中國電子材料行業協會數據,在集成電路端,電子濕化學品國產化率23%,8英寸及以上晶圓制造用電子濕化學品國產化率不足20%,國內企業產品供應主要集中在6英寸及以下晶圓制造及封裝領域;在顯示面板領域,包括各個世代液晶面板及OLED用電子濕化學品整體國產化率為40%,其中OLED面板及大尺寸液晶面板所需的電子濕化學品部分品種目前仍被韓國、日本和中國臺灣地區等少數電子濕化學品廠商壟斷;在光伏太陽能電池領域,國內企業已基本實現電子濕化學品自主供應。 半導體材料斷供風險加劇,積極研發逐漸打破海外壟斷。國內企業在成熟制程相關產品已經有了很大進步,目前如中巨芯電子級氫氟酸、電子級硫酸、電子級硝酸,湖北興福的電子級磷酸、電子級硫酸、硅刻蝕液、鋁刻蝕液,晶瑞電材的電子級雙氧水,上海新陽的電子級硫酸、銅電鍍液、銅刻蝕后清洗液和鋁刻蝕后清洗液等產品,已經在8英寸、12英寸集成電路生產線批量應用。展望未來,國產高端濕電子化學品會加速研發和導入客戶。 今年以來特種半導體公司業績保持穩定較快增長,板塊存貨與合同負債高速增長,隨著相應的訂單不斷轉化為產 品交付,預計2023年特種半導體板塊內公司業績不斷兌現,有望實現加速增長。同時,2020-2021年期間特種半導體板塊內的公司人員數量增長明顯加快,預計部分項目在后續將集中落地,側面印證特種半導體板塊的景氣度。 4.1回顧2022:特種半導體公司業績穩步較快增長 今年以來特種半導體公司業績保持穩定較快增長。根據我們的分類,2022年前三季度特種半導體板塊收入123.16億元,同比增長42%,前三季度板塊歸母凈利潤38.90億元,同比增長51%。Q3單季度來看,22Q3特種半導體板塊收入46.79億元,同比+45%,環比+7%,Q3板塊歸母凈利潤14.80億元,同比+45%,環比+7%。由于國內各大軍工集團下屬企業及科研院所等客戶通常會在第四季度完成相關產品驗收等工作,因此預計第四季度板塊業績還將環比上升。隨著陸、海、空、天等各型裝備批產列裝加快,配套的特種半導體公司交付量也會增加,今年前三季度復旦微電、臻鐳科技、振華風光等公司凈利潤實現較快增長。以復旦微電為 例,隨著其高毛利率 FPGA 產品放量,業績高速增長,今年前三季度復旦微電實現歸母凈利潤8.59億元,同比增長121%,且Q3凈利潤仍實現環比增長10%。 盈利能力來看,2022年特種半導體板塊毛利率和凈利率比較穩定,板塊整體盈利能力較強。特種半導體產品具有可靠性要求高、性能參數指標嚴苛等特征,且研發周期長、前期投入大,因此特種半導體公司整體毛利率水平較高。由于高毛利產品放量以及產品結構變化,復旦微電、臻鐳科技等公司今年前三季度毛利率和凈利率同比提升較多。 4.2展望2023:板塊業績有望不斷兌現,實現加速增長 裝備現代化發展趨勢明確。根據政府預算草案,中國2022年的國防預算為1.45萬億元, 同比增長7.1%。我國近年來持續強調“加速武器裝備升級換代,推進武器裝備現代化建設”,預期十四五期間國防支出仍會保持穩定增長。另外,根據國防白皮書,2012-2017年我國裝備費占軍費比例從36%提高到41.1%,占比逐年提升,軍隊裝備支出增速持續超過國防費支出增速。 國內特種半導體市場空間大,隨著武器裝備國產化需求提到新的高度,國產芯片占比將逐步提升。根據前瞻產業研究院,2025年我國軍工電子行業市場規模預計將達到5012億元, 2021-2025年年均復合增長率將達到 9.33%。 短期由訂單驅動,關注合同負債和存貨變化。軍工行業具有計劃性特征,軍品及其配套產品的采購嚴格按照國家計劃進行,供應商根據軍方訂單來組織生產活動。合同負債反映在手訂單情況,存貨體現備貨生產、交付情況,合同負債和存貨可以提前反映特種半導體公司未來業績的變動趨勢。2022年2月雷電微力與客戶簽訂兩份配套產品合同,合計金額為24.1億元,是其2021年收入的3.3倍。今年以來,特種半導體板塊存貨與合同負債高速增長,隨著相應的訂單不斷轉化為產品交付,預計2023年特種半導體板塊內公司業績不斷兌現,實現加速增長。 此外,從項目數量和項目所處階段判斷成長性,人員規模可作為間接指標。特種半導體企業往往參與軍工集團及其下屬單位的配套研制,項目可分為方案、試樣、定型、批產等不用階段。軍品具有單一型號的換代周期長的特點,武器裝備定型后配套供應商一般不會更換,已批產項目供應關系穩定,且一個項目通常會連續交付幾年,所以項目越靠近批產階段、項目數量越多,公司業績增長的確定性就越強。軍工行業是典型的以銷定產行業,如果配套企業參與項目的數量多,那么在交付前往往就會觀察到人員數量的擴張,故可以參考人員規模這一指標來判斷成長性。在 2020-2021年期間,特種半導體板塊內的公司人員數量增長明顯加快,預計部分項目在后續將集中落地,從側面印證特種半導體板塊的景氣度。 5.1 市場總覽:Q3維持高成長,擴產線、產品高端化趨勢明顯 板塊22年Q3業績整體上行,毛利、凈利處于高點。選取A股上市/提交 IPO 申請的17家主攻功率器件的廠商為樣本,統計其近兩年分季度業績情況,板塊季度趨勢不明顯,但通常Q4為營收高點。其中,22年Q3板塊總體營收、歸母凈利潤和扣非歸母凈利潤同比增速分別為11.14%、12.99%和9.24%,環比增速分別為-0.02%、1.07%和 3.63%。板塊毛利率看,Q2、Q4一般為高點,凈利率規律性較弱。其中,22年Q3板塊毛利率為25.66%,同比+1.35pct,環比+0.19pct,突破歷史最高水位;凈利率達12.00%,同比+0.20pct,環比+0.13pct,處于歷史高位區間。 Q3行業內公司營收與凈利潤增降各半,增長主要系新結構/高壓 IGBT、MOS 等新產品放量,高附加值提振盈利水平所致,以部分營收增速超20%的公司為例:1)斯達半導:主驅用 IGBT 模塊配套新能源車超50萬輛(A級及以上車超20萬輛),SiC MOS 模塊也大批量裝車,自研芯片的650V/1200V IGBT單管及模塊成為戶用型、工商業、地面電站用并網逆變器和儲能變流器的主要供應商;2)宏微科技:M5i 微溝槽 650V 光伏用單管、光伏逆變器用 80A 逆變模塊獲得驗證并批 量交付;M7i 微溝槽 1200V IGBT(對標英飛凌第七代 IGBT)通過客戶認證并獲得小批量訂單;車用 820A/750V 模塊產品獲得客戶認證并批量交付;3)東微半導:第4代高壓超級結 MOS 批量出貨,屏蔽柵 MOS 在12吋產線量產。同時 第2代 TGBT 電流密度提升至500A/cm2,通過多客戶驗證并批量銷售,營收同比增長超70倍。功率器件業已小規模送樣并實現小批量訂單。4)時代電氣:Q3單季度新興裝備業務營收17.01 億元,YoY+138.85%,其中功率半導體營收5.2億元,YoY+47.49%,QoQ+31.0%。據 NE 時代8月數據,公司國內新能源乘用車電驅動系統搭載約1.7萬套,排名第5;電控搭載約1.9萬套,排名第9;IGBT 功率模塊搭載約5.5萬套,排名第4。此外,公司 SiC 主驅模塊已于國內主流車企驗證。5)揚杰科技:小信號產品收入同比增長70%;1200V/80mohm SiC MOS 產品量產;1200V/10A-200A Trench IGBT 全系列開發完成,對應模塊投放市場;SiC SBD 得到國內 TOP10 光伏逆變器客戶認可并批量出貨;PSBD、PMBD 芯片批量應用于新能源汽車三電領域。 Q3 行業內公司總體凈利率和毛利率承壓較大,主要系 1)需求不振,原材料價格上漲;2) 新產線建設初期良率、產能亟待爬升,或新產品處于送樣和驗證階段,未能放量以彌補疲軟行業。 5.2 預測與展望:應用市場熱度不減,國產替代促發展 IGBT 下游應用市場中汽車和新能源發電將領銜增長。近20年來各應用領域對功率器件的電壓和頻率要求日趨嚴格,帶動 IGBT 市場規模增加。據集邦咨詢數據,以 2020年中國 IGBT 市場為例,下游應用中新能源汽車和新能源發電占比分別為30%和11%;據 Yole 數據及預測,2020年全球IGBT市場中新能源汽車和新能源發電占比分別為9.43%、1.28%,20-26年CAGR 將分達+22.26%、+22.49%,兩者合計占比預計不斷提升,成為行業發展的強力催化劑。Omdia 數據顯示,2021年全球 IGBT(分立+模塊)市場規模約為56億美元,中國 IGBT 市場規約 22.46 億美元,2024年有望達25.76億美元。 襯底技術突破帶動 SiC 量產技術成熟,國產化具備想象空間。SiC 產業鏈可分為襯底材料制備、外延生長、器件制造和應用,據前瞻產業研究和 CASA Research,襯底和外延在 SiC 功率器件成本結構中占比分別為47%和23%,合計占70%,是主要成本來源。當前我國第三代半導體領域技術已經基本完成從小批量的研發向規模化、商業化生產的成功跨越,各環節技術、性能趨于穩定,與海外企業工藝技術上的差距正在縮小。 SiC 在新能源汽車、光伏等領域占比較高,國內車用 SiC 市場預計迅速增長至數十億元。SiC 能滿足高溫、高功率、高壓、高頻、抗輻射等惡劣條件要求,廣泛用于新能源車、光伏發電、軌道交通、智能電網、國防軍工等領域。Yole 數據顯示,2021年全球 SiC 功率器件市場規模達10.9億美元,下游應用看新能源汽車占62.8%,光伏占13.8%。據中汽協和乘聯會數據,2021年中國新能源汽車滲透率為16.39%,新能源汽車乘用車銷量達352萬輛,預測2022年有望達600萬輛。考慮到 SiC 在高壓(800V)新能源車的布局和滲透,我們預測2025年中國新能源乘用車 SiC 需求將達77.49億元。 2021-2030年全球光伏市場發展或將持續加速,2025年有望近百億元。根據 CPIA 預測,中性情況下2022年全球光伏新增裝機量將達218GW,至2025年有望達300GW。據產業調研網數據,目前光伏逆變器 IGBT 模塊采購額約2000-2500萬元/GW,SiC價格約為 Si 基IGBT 的3-4倍,分別取中值,則 SiC 功率器件采購額約為7875萬元/GW。同時產業調研網數據顯示,目前SiC在光伏逆變器中滲透率約2%,2025年有望升至30%-50%;隨規模運用、技術發展帶來成本降低,預計價格以每年10%的幅度下調。 展望2023年,隨產能釋放和產品落地,國內相關企業或迎發展良機。1)全球市場看,車用SiC功率元件市場仍主要由歐美 IDM 大廠 ST、安森美、Wolfspeed、 英飛凌、羅姆等掌握;襯底主要企業有 II-VI、Norstel 等,外延廠商有 Showa Denko、英飛凌等,器件廠商有 ST、三菱電機等。Yole 數據顯示,Cree、ROHM、Infineon、Mitsubishi 和 ST 等企業合計占 SiC 功率半導體80%的市場份額。2)國內市場看,完整產業鏈已基本形成,下游持續繁榮和技術發展雙支撐下,國產企業已加速入局:三安光電已實現全產業鏈覆蓋、天科合達和山東天岳在襯底部分逐步追趕,但仍處于早期,發展空間較大;上汽、廣汽等車企已著手布局 SiC 全產業鏈,比亞迪等車企已啟動芯片自研計劃。隨2023年Q1前后相關功率半導體公司諸多送樣、驗證階段的產品推進,行業內部分公司營收、利潤端可初見成果。 長電科技(SH600584) 通富微電(SZ002156) 華天科技(SZ002185) 盈方微(SZ000670): 盈方微:關于第一大股東為公司開立的銀行保函全部撤銷的公告 網頁鏈接 吳勇亮: 盈方微(SZ000670)26日股東大會后離重組更近了嗎? vins888: 盈方微(SZ000670)開倉盈方威 田小帥: 盈方微(SZ000670) 為啥支撐在7塊?繼續破7塊往下殺一下,本周虧損10個點玩了個寂寞 盈方微(SZ000670): 盈方微:訴訟事項進展公告 網頁鏈接 要么暴瘦要么暴富: 盈方微(SZ000670) 什么破爛玩意兒 買了開始就沒漲過 天天鈍刀子割肉
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