親子教育心得描述：：未來智庫： （報告出品方：中國銀河證券） （一）放棄幻想，堅決走自主可控之路 當前我國發展進入了戰略機遇和風險挑戰并存、不確定難預料因素增多的時期，各種“黑 天鵝”“灰犀牛”事件隨時可能發生。二十大以來，推進國家安全體系和能力現代化，維護國 家安全和社會穩定成為新時代的主題。我國電子制造業大多處于產業鏈中下游，上游半導體整 體國產化率依然偏低，部分核心領域依然存在卡脖子的風險。中游制造業面臨著成本上升，需 求不足，疫情反復擾動的風險。下游加工組裝業則面臨產能轉移，成本提高，勞動力不足的風 險，嚴重影響產業鏈安全。 整個電子板塊經歷一年多下跌，行業下行周期已經接近尾聲，我們認為站在當前時點配置 電子股的機會大于風險。我們認為過去的 2-3 年半導體行業經歷大起大落，波動性顯著增強， 當前申萬電子指數 PE（TTM）為 30 倍，位于歷史 12.7%分位數，已經迎來底部配置區間，未 來上中下游電子產業鏈均有結構性機會。上游來自解決卡脖子問題或者進一步提升國產替代 滲透率的細分領域如半導體設備零部件、半導體材料、新型封裝、汽車半導體等。中游制造業 機會在于宏觀經濟周期回暖需求企穩回升，疊加競爭格局優化以及所帶來的周期回暖的機會。 下游加工組裝行業則受益于第二成長曲線以及創新產品滲透率的提升帶動的新一輪成長。 中國半導體產業近年來取得了長足發展，完整的產業鏈與產業生態初步形成。中國半導體 產業起步較晚，但近年來增長很快。根據中國半導體行業協會的數據，中國集成電路銷售額從 2006 年的 1006 億元增長到 2021 年的 10450 億元，過去十五年復合年均增速達到 17%，遠超 同期全球半導體市場整體增速。尤其是 2018 年華為事件以來，國內半導體產業得到了空前發 展。國家在 2020 年出臺了《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》， 從稅收優惠、投融資支持、核心技術研發、推動進出口、加強人才培養等多方面，對集成電路 產業發展給予政策支持。國內半導體企業在眾多領域實現了國產替代從 0 到 1 的突破，已基本 形成了完整的產業鏈。目前中國已擁有全球最大的半導體市場，半導體總需求規模約占全球的 1/3，雖然半導體國產化率仍然較低，但發展潛力巨大。 我國半導體企業多而不強，尤其是缺少具備全球競爭力能打破科技封鎖的領軍企業是行 業面臨的主要問題。半導體產業具有技術壁壘高、投資規模大、投資周期長的特點，從全球半 導體產業來看，總體上屬于市場集中度比較高的行業。比如存儲芯片（DRAM）全球 CR3 超 過 90%，計算芯片諸如 CPU、GPU、FPGA 基本被高通、英特爾、英偉達、賽靈思等少數企業 壟斷，半導體制造方面僅臺積電就占據全球晶圓代工超過一半的市場份額，半導體設備市場像 光刻機、刻蝕機、涂膠顯影設備等全球 CR3 均超過 90%。 從國內行業發展看，在近年來國家 政策與資本市場支持下，半導體企業數量大幅增長。但是國內半導體企業以中小企業為主，即 便是國內龍頭企業與海外領先企業相比差距依然巨大，部分細分領域更是還沒有實現零的突 破。雖然短期受地緣政治影響半導體供應鏈有一些波動，但本質上半導體行業是全球化的行業， 面對海外巨頭的競爭和地緣政治導致的科技封鎖，無論是國內市場的國產替代，還是更長期的 參與全球市場的競爭，乃至大國間科技實力的比拼，都需要有具備相當實力與規模的半導體領 軍企業。 最近五年，國內集成電路設計行業通用芯片的自主化率水平顯著提升，帶動一批芯片設計 公司快速成長。一方面是以信創市場為核心向泛信創市場擴散推動的國產化浪潮，另一方面則 是供應鏈聯動、政府投資力度加大，部分產業和人才轉移帶動了國內集成電路設計能力大幅提 升，大幅提升我國產業鏈安全。 我們認為在“安全”這個時代的主題之下，能夠解決卡脖子問題或進一步提升國產化率 的上游材料、設備、零部件是電子行業未來的主要機會。如果按照被斷供的風險、時間維度以 及投資機會的大小作為參考指標，來表示投資的機會，根據北京半導體協會提供的數據呈現下 圖所示。短期來看存儲芯片、半導體設備零部件、28nm 及以上設備材料、化合物半導體等具 備較大的投資機會；中期來看 14nm 及以下關鍵設備和材料、戰略性通用芯片、光刻機零部件 及材料等具有較大投資機會。；長期來看，新工藝、新材料、新封裝等領域具備很大的投資機 會，成為中國半導體產業打破科技制裁的關鍵。 （二）全球半導體處于下行周期尾聲，汽車半導體增速亮眼 世界半導體貿易統計組織（WSTS）發布數據，繼 2021 年 26.2%的強勁增長之后，2022 年 全球半導體市場增速將放緩至4.4%，2023年半導體市場規模將同比減少4.1％至5565億美元。 時隔 4 年出現負增長預期。根據 Omdia 的數據，全球半導體行業下行周期將在 2023 年第二季度觸底，并可能在下 半年開始全面復蘇。以汽車為主導的半導體的復蘇將推動該行業進入下一個上升周期。2023 年，Omdia 預計同比增長率將相對持平。 從全球前十大半導體公司 22 年三季度營收情況可以看到，大部分公司三季度營收環比二 季度下滑，而本輪半導體周期下行的核心因素主要是，地緣政治、通脹、宅經濟需求衰退、中 國疫情反復等因素導致的需求低迷。存儲芯片廠商大幅削減資本開支，晶圓廠雖然部分消費終 端市場需求疲軟，但 22/28nm 制程營收保持增長，產能利用率也較高。從模擬芯片龍頭 TI 的披露來看，部分工業制造商客戶也放慢了訂單的速度，汽車領域是目前少有的需求強勁的市場。根據 Gartner 的數據，到 2030 年汽車半導體市場將達到 1166 億美元，而 2020 年汽車半 導體市場規模為 387 億美元。ADAS 應用對于半導體的拉動最為顯著，到 2030 年相關收入預 計將比 2020 年增長 310 億美元。汽車電動化的部分是半導體的第二大增長動力，到 2030 年 相關收入預計將比 2020 年增長 261 億美元。 而從國內半導體上市公司情況來看，22 年前三季度，SW 半導體板塊營收 2977 億元，同 比+10.7%，歸母凈利潤 366 億元，同比-1.2%。單三季度營收同比+1.87%，歸母凈利潤同比31.67%，單三季度整體毛利率 29%，環比減少 3pct，凈利潤率 10%，環比減少 7pct。 從細分板塊來看，半導體設備、分立器件、半導體材料、集成電路制造、電子化學品、消 費電子零部件組裝等業績逆勢增長，其他板塊均呈現不同程度的下降。從基本面來看，整個電 子行業去庫存已經迎來尾聲，下游部分終端部件價格企穩回升，基本面觸底信號初現。 （三）半導體材料——受益晶圓產能擴張+國產替代 半導體產業鏈整體可被分為上、中、下游三個板塊，其中上游為半導體的支撐產業，由半導體材料和半導體設備構成；中游為半導體制造產業鏈包含IC的設計、制造和封測三個環節，其生產的產品主要包括集成電路、分立器件、光電子器件和傳感器；下游則為半導體的具體應用領域，涉及消費電子、移動通信、新能源、人工智能和航空航天等領域。在半導體產業鏈中，半導體材料位于上游發揮著其特有的產業支撐作用，是整體半導體產業的底層基礎。 全球晶圓廠擴產趨勢明顯，半導體材料需求迎來爆發。2017-2020 年全球新增半導體產線 共 62 條，其中中國大陸新增 26 條，占比達 40%。全球半導體制造商將于 2021 年底前開始建 設 19 座新的高產能晶圓廠，并在 2022 年再開工建設 10 座，按照晶圓廠 1-2 年擴產周期，2022- 2023 年新增產能將迎來集中釋放，拉動半導體材料需求增長，屬于后周期的半導體材料市場 將迎來爆發。 制程的進步推動半導體材料價值量增加，需求相應進一步提升。摩爾定律是指集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。在摩爾定律下，芯片工藝制程的技術節點不斷向前邁進，半導體制造材料的成本也不斷上升，從而推動半導體材料的需求提升。根據 IBS 數據顯示，每當向前推進一個節點時，流片成本將提升 50%，其中很大部分是由于半導體制造材料價值提升所致。以光掩模為例，在16/14nm制程中，所用掩模成本在 500 萬美元左右，到 7nm 制程時，掩膜成本迅速升至1500萬美元。 全球晶圓廠擴產趨勢明顯，大陸新增產能尤為可觀，拉動半導體材料需求。根據 SEMI 數據顯示，2017-2020 年全球新增半導體產線共計 62 條，其中中國大陸有 26 條產線，占 比超 40%。此外，全球半導體制造商將于 2021 年底前開始建設 19 座新的高產能晶圓廠， 并在 2022 年再開工建設 10 座，以滿足市場對芯片的加速需求。其中，中國和中國臺灣地 區將各建有 8 座，處于全球新建晶圓廠數量領先地位，其次是美洲緊隨其后，共建有 6 座。 在 8 英寸晶圓方面，SEMI 預計 2021 年全球 8 英寸晶圓廠設備支出將進一步擴大，逼近 40 億美元，而中國大陸將以 200mm 的產能居全球領先地位，其市場份額將達到 18％，其次 是日本和中國臺灣地區，分別達到 16％。全球晶圓廠擴產背景下，中國大陸作為晶圓制造 產能的新興領域，將進一步拉動上游半導體材料需求。 2022-2023 年新增產能將迎來集中釋放，屬于后周期的半導體材料將迎來爆發。在半導體 整個生產周期中，半導體材料雖處于產業鏈上游，但從晶圓廠擴產角度看，半導體材料采購是 在晶圓廠建設完工并下達訂單后開始進行，因此半導體材料屬于半導體周期偏后的環節。本輪 半導體缺貨爆發于 2020 年下半年，考慮到疫情導致的建設施工延誤，實際晶圓廠大幅擴產主 要從 2020 年底開始，晶圓廠的建設周期大約需耗時 1 -2 年，我們認為 2022-2023 年新增產 能將迎來集中釋放，相應有望拉動半導體材料需求爆發增長。 全球半導體材料市場規模整體呈增長趨勢，中國大陸成為全球第二大半導體材料市場。 根據 SEMI 統計，2015 年全球半導體材料市場規模 433 億美元，2020 年達到 553 億美元，年 復合增速達 5.01%，其中晶圓制造材料復合增速達 7.78%。2021 年全球半導體材料市場預計可 達到 565 億美元，同比增長 4.82%，繼續保持增長趨勢。分地域看，2020 年中國臺灣地區半 導體材料市場規模為 123.8 億美元，繼續位居全球第一，中國大陸市場規模超過韓國達 97.63 億美元，躍居全球第二，其次是韓國市場，規模為 92.31 億美元，前三占比合計超總市場規模 的一半。 晶圓制造材料占比逐步提高，硅片是最大的半導體材料單一市場。從半導體材料結構 分布來看，2020年晶圓制造材料規模達349億美元，占總材料比重從 2015 年的 55%增長 到 2020年的63%。根據SEMI數據，2020 年硅片市場規模達 122 億美元，占據晶圓制造材 料總規模的35%，遠超其他制造材料穩居第一，是最大的半導體材料單一市場，電子特氣 和光掩模市場規模位列第二、三位，分別為 45 和 42 億美元，而其他制造材料占比均不足 10%。 半導體材料國產化率較低，國產替代空間廣闊。半導體芯片制造工藝的發展整體遵循摩爾定律，意味著技術節點將不斷向更小的線寬靠攏，而半導體材料能否配合先進制程進 行相應的技術迭代，決定了摩爾定律能否繼續推進。根據 SEMI 數據顯示，國內不同半導 體制造材料技術進度不一，其中硅材料和光刻膠技術節點分別只達到 0.25um 和 0.13um， 光掩膜、拋光材料和靶材則已達到 28nm 的技術節點，并有望向 14nm 進一步發展，而工藝 化學品還未實現 0.25um 的技術節點。就整體來看，國內與國外在半導體制造材料方面技 術差距較大，存在廣闊的國產替代空間。 國內廠商加速布局，諸多領域實現從 0 到 1 突破，半導體材料有望迎來國產化突破。由 于高端產品的技術壁壘，我國半導體材料多集中于中低端領域。而自中美貿易摩擦以來，半導 體材料國產化的訴求愈發強烈。迎合國內對高端半導體材料日益增長的需求，國內半導體材料 企業加速布局產品技術研發和產能擴張。雅克科技、滬硅產業、南大光電等均募資投入研發制 造。（1）雅克科技非公開發行不超過 12 億元加速半導體關鍵材料光刻膠及光刻膠配套試劑的 研發，投資 2.88 億元擴大集成電路新型材料球形硅微粉的產能。（2）滬硅產業定向募集 50 億元用于 300mm 高端硅片研發、300mm 高端硅基材料研發，加快高端半導體材料研發進度。（3） 南大光電研發 ArF 光刻膠產品并于 2021 年底建成投產，可實現年化 25 噸產能，保證集成電 路制造材料的有效供應。 （四）半導體設備及零部件——加速導入，國產替代方興未艾 根據艾瑞咨詢的數據，以產業鏈各環節的市場規模、近三年 CAGR、國產自主比例為基礎 維度，繪制出中國半導體 IC 產業運營全景，從市場規模來說，由于 IC 設計企業數量迅速增 長，國內 IC 設計市場規模在 2021 年達到 4519 億元。從增長率來看，設備市場一枝獨秀，近 三年 CAGR 超過 30%。 根據艾瑞咨詢的數據，繼 2020 年之后，中國在 2021 年第二次成為半導體設備的最大市 場，銷售額增長 58%，達到 296 億美元，占據全球規模比例高達 28.9%。半導體設備行業整體 市場集中度較高，話語權主要掌握在美國、日本和歐洲企業手中，2021 全球前六大企業占據 近 7 成市場份額。如今，中國半導體設備銷售規模不斷增長，但國內自主研發制造半導體設備 仍處于行業初期，部分核心設備國產率依然偏低，國產替代大有可為。根據中國半導體行業協會數據，自從 2008 年啟動國家科技重大專向以來，中國半導體設 備快速發展，2008 年-2021 年的年均符合增速為 26.5%。 半導體設備包含 8 大關鍵子系統。半導體產業調查公司 VLSI 的統計顯示，半導體設備包 括 8 類核心子系統：氣液流量控制系統、真空系統、制程診斷系統、光學系統、電源及氣體反 應系統、熱管理系統、晶圓傳送系統、其他集成系統及關鍵組件，每個子系統都包含了較大數 量的零部件。 全球半導體零部件市場規模預計在2022年達300億美元。根據半導體設備有關公司的財 務數據，半導體設備企業營業成本的 80%-90%用于采購半導體設備零部件及原材料。此外， 半導體設備企業的毛利率基本處于 40%-60%之間，營業成本大約占營業收入的一半左右。由 此推斷，半導體設備零部件及其他原材料的市場規模大約占全球半導體設備市場規模的 25%- 35%，且半導體設備零部件占主要部分。根據 SEMI 預計，2022 年全球半導體設備市場規模將 達到 1013 億美元，因此，全球半導體零部件的市場規模約在 300 億美元。 美國、日本公司在半導體設備零部件方面處于壟斷地位。在 IC World 2020 公開了 20 類 半導體核心零部件產品的 44 家主要供應商，其中，美國供應商有 20 家，約占 45%，日本供應 商 16 家，約占 36%，兩國處于明顯優勢地位。此外，還有 2 家德國供應商、2 家瑞士供應商、 2 家韓國供應商、1 家英國供應商，全部為境外供應商。 半導體晶圓制造進口依賴度高。在半導體晶圓制造流程中，閥類、密封圈、靜電吸盤、陶瓷類真空壓力計等零部件進口份額較大。其中，閥類費用約占耗材成本支出的 10.6%，有較大 的市場需求，但國內在該領域仍處于空白。芯謀研究數據顯示，我國半導體零部件國產化水平 較低，僅 Quartz 成品、Shower head、Edge ring 等少數幾類半導體零部件國產化率超過 10%， Valve、Gauge、O-ring 等基本依賴進口。 半導體零部件國產化替代進行時。目前國內有多家企業致力于半導體零部件國產化，包括 英杰電氣、萬業企業、新萊應材、靖江先鋒、晶盛機電、江豐電子等。以江豐電子為例，其半 導體零部件主要布局 PVD 機臺用 Clamp Ring、Collimator、CVD、etching 機臺用 face plate、 shower head 等，化學機械研磨機臺用金剛石研磨片、Retaining Ring 等。 （一）SiC——確定性創新趨勢，功率器件新機遇 功率半導體核心作用：控制電子裝置中電能轉換與電路控制。功率半導體發展始于 20 世 紀 50 年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統，之后晶閘管、平面型功 率 MOSFET、溝槽型 MOSFET 和 IGBT 面世，隨著 20 世紀 90 年代超級結 MOSFET 出現，打 破傳統“硅限”以滿足大功率和高頻化的應用需求，功率半導體性能進一步提升。從用途來看， 功率半導體主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換，隨著國民經濟的快速發展， 功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家 電等諸多市場。 第三代半導體材料是繼以硅（Si）和砷化鎵（GaAs）為代表的第一代和第二代半導體材料 之后，迅速發展起來的寬禁帶半導體材料。具體是指帶隙寬度達到 2.0-6.0eV 的寬禁帶半導體 材料，包括了碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）,從現階段發展來看，GaN 材料更適合 1000V 以 下電壓等級，高開關頻率的器件，相比之下，SiC材料及器件能用在 10kV 以下應用場景，更 適合制作高壓大功率電力電子裝置，且目前 SiC功率器件商業化落地速度極快。 從 SiC 材料適用范圍來看，碳化硅器件可廣泛應用于高壓、高頻和大電流場景，因此十分 適合光伏、新能源車和 5G 通信領域。從電化學性質差異來看，SiC 襯底材料可以分為導電型 襯底（電阻率區間 15~30mΩ·cm）和半絕緣型襯底（電阻率高于 105Ω·cm），在不同襯底片上 生長 GaN 外延制成 HEMT 等微波射頻器件，應用于 5G 通信、衛星、雷達等領域。在導電型 襯底片上生長 SiC 外延層，通過進一步加工制成 SiC SBD，SiC MOSFET 等功率器件，應用于 新能源車電驅電控、OBD 和 DC/DC，光伏逆變電站、軌交、電網和航空領域。 相比硅基材料，SiC 材料特性優勢。更高的額定電壓，無論是單極性還是雙極型器件，SiC 基器件的額定電壓遠高于 Si 基同類型器件；更低的導通電阻，在 1kV 電壓等級下，SiC 基單 極性器件的導通電阻是 Si 基器件的 1/60；更高開關頻率，設定最大結溫在 175℃、10kV 條件 下，SiC 基器件仍能達到 33kHZ 的最大開關頻率；更低熱阻，SiC 基熱導率是 Si 的 3 倍，期 間內部更易散熱，減小器件過溫失效風險，提高可靠性；理論上,SiC 基器件極限工作結溫能達 到 600℃，遠高于 Si 基器件，但是受限于封裝材料；具備極強抗輻射性，過量輻射不會導致 SiC 器件出現性能衰退，在航空領域應用較廣。 全球多廠商布局，SiC 產業鏈日趨完善，競爭格局日漸清晰。從產業鏈層面初步劃分，整 個 SiC 產業鏈主要分為設備、襯底、外延、設計、器件和封裝模塊，從商業模式上看，海外市場多數廠商采用縱向產業鏈的 IDM 模式，覆蓋完整產業鏈為多個環節，例如具備先發優勢的 Wolfspeed 和 Rohm；國內這邊多數廠家僅從事產業鏈部分環節，例如天岳先進專注襯底材料 的演進，東莞天域和瀚天天成對外延部分研究比較深入，國內多家功率器件企業已入局 SiC 賽 道。 產業鏈以襯底為價值鏈核心，呈現供不應求局面。在成品 SIC SBD 器件占比中，襯底、 外延和前段開發價值量占比 47%、23%和 19%，主要原因系長晶緩慢且良率偏低，同時鑒于材 質等物理特性原因，切割破損率高進一步推高器件整體成本。目前導電型 SiC 襯底以 n 型襯底 為主，外延 GaN 基 LED 等光電子器件、SiC 基電力電子器件等，半絕緣 SiC 襯底主要用于外 延制造 GaN 高功率射頻器件。我們認為未來 SiC 襯底價格下降是推動碳化硅產業鏈發展的核 心環節，襯底行業的發展也是未來 SiC 產業降本增效和商業化落地的核心驅動因素。 在實現規模經濟化條線下，產線向大尺寸轉移。全球 SiC 市場 6 英寸量產線正走向成熟， 領先公司已進軍 8 英寸市場。目前包括羅姆、Ⅱ-Ⅵ、Wolfspeed 已具備成熟 6 英寸 SiC 襯底產 線，正在向 8 英寸市場進行開拓，例如，Wolfspeed 的第一條 8 英寸 SiC 產線已在 2022 年 Q2 開始生產，標志著全球第一條 8 英寸 SiC 產線的投產。國內正在開發的項目以 6 英寸為主。目前雖然國內大部分公司還是以 4 寸產線為主，但是產業逐步向 6 英寸擴展，隨著 6 英寸配套 設備技術成熟后，大尺，國產 SiC 襯底技術也在逐步提升寸產線的規模經濟將會體現，目前國 內 6 英寸的量產時間差距縮小至 7 年。 預計 27 年市場空間將超過 60 億美元。根據 Yole 測算，僅碳化硅器件中的功率器件的市 場規模將從 2021 年的 10.90 億美金增長至 2027 年的 62.97 億美金，復合年增長率約 34%。從 細分行業來看，新能源產業鏈和充電基礎設施將為增長最快領域。IGBT 是新能源汽車中核心功率半導體部件。目前車用功率半導體中主要用到的是 IGBT 和 MOSFET。MOSFET 又稱金屬-氧化物半導體場效應晶體管，具有開關速度高、開關損耗小 優點，但傳導損耗很高。IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）是由 BJT（雙極型三極管）和 MOSFET （絕緣柵型場效應管）組成的復合式半導體，兼具 MOSFET 和 BJT 的優點，擁有輸入阻抗高、 導通電壓低、高壓環境下損耗小等特點，在新能源車中是電驅系統主逆變器的核心器件，并被 廣泛用于輔助功率逆變器、DC/DC 直流斬波電路、OBC等。 IGBT 在新能源汽車功率半導體中占比約 8 成，是汽車電動化最受益的細分領域。據 Yole 及 EV Sales Blog 統計數據顯示，2019 年全球插電式混合動力汽車及純電池電動車共銷售約 220 萬輛，而全球新能源汽車 IGBT 市場規模約為 6 億美元，由此可推算目前新能源汽車中 IGBT 單車平均價值量約為 270 美元，占單車功率半導體價值量超過 80%。作為電動化下核心 受益品種，我們預計全球新能源汽車 IGBT 將在未來幾年實現快速增長，2025 年市場規模達 到約 50 億美元。 SiC 基功率器件適用于高壓領域，具有更好的性能，可部分替代 IGBT。第三代半導體材 料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表。其中，碳化硅的 耐高壓能力是硅的 10 倍，耐高溫能力是硅的兩倍，高頻能力是硅的 2 倍。相同電氣參數產品， 采用碳化硅材料可縮小體積 50%，降低能量損耗 80%。使用碳化硅材料替代原本硅基材料， 可實現器件體積更小同時能量密度更大。根據英飛凌數據，相比于 Si 基材料逆變器，SiC 材料 逆變器擁有更低的體積及重量，分別是其 1/3、1/4；同時，Rohm 數據顯示，SiC MOSFET 在 實際應用中，開關頻率可達 50KHz 以上，是主流 IGBT 開關頻率（最高 20KHz）的兩倍以上， 能量損耗則是其 27%。SiC 基 MOSFET 憑借其優良的性能和體積優勢有望替代部分 IGBT。 SiC MOSFET 成功打入高端車型，實現從 0 到 1 的突破，有望繼續發展。第三代半導體 領先企業 Cree、英飛凌以及特斯拉、福特、豐田等汽車巨頭都在推動 SiC 器件在汽車上的應 用，并且部分高端車型已經實現從 0 到 1 的突破。特斯拉推出第一款集成全 SiC 功率模塊車 型——Model 3，由特斯拉及意法半導體共同設計，此車型 SiC 功率模塊由英飛凌供應。豐田 汽車在普銳斯和凱美瑞混動車的 PCU 中安裝了共同開發的 SiC 功率半導體，并進行重復駕駛 測試和公路測試。比亞迪推出首款批量搭載 SiC MOSFET 組件的車型——比亞迪漢 EV 四驅 版，SiC 電控綜合效率高達 97%以上。 SiC 應用實現大規模替代還需一定時間，成本、良率問題有待改善。一方面，目前 SiC 技 術主要使用 4、6 英寸襯底，所生產的芯片生產效率、晶圓利用率相比大尺寸襯底更低；另一 方面，SiC 應用對制造、封裝技術提出了新的要求，良率有待提升，兩方面因素共同造成 SiC 應用成本居高不下。同時，車規級電控器件需要在極端溫度、強烈震動等惡劣環境下保證可靠 工作，直接關系到人的生命安全。因此，在真正實現大規模應用前，SiC MOSFET 還需要經過 長時間的客戶認證，以確保極高的安全性與可靠性，時間一般長達 2 年以上。 供需缺口較大，功率半導體國產替代空間廣闊。中國功率半導體市場存在明顯的供需錯配 情況。從需求端來看，據 IDC 統計，中國擁有全世界最大的功率器件市場，全球占比高達 39%； 從供給端來看，歐美日廠商占據全球 70%的市場份額，且在 IGBT 和中高壓 MOSFET 細分領 域占比超 80%，而大陸廠商僅占約 10%的市場份額，產品以二極管、低壓 MOSFET、晶閘管 等低端功率半導體為主。在新能源汽車 IGBT 模塊方面，整個市場呈現頭部集中態勢，CR4 為83%，國內廠商僅比亞迪、斯達半導及中車時代電氣三家企業入圍前十大廠商，合計占比約 20%， 國產化率有待進一步提升。 全球功率半導體供不應求，加快國內產品導入進程。全球半導體市場需求強勁，新能源汽 車、手機快充、光伏風電等下游領域快速增長，帶動以 MOSFET 和 IGBT 為代表的功率半導 體需求持續提升。上游原材料持續不斷上漲，產能持續緊缺，供貨周期加長，出現了嚴重的供 需失調現象。英飛凌、意法半導體、安森美等主流廠商均出現了功率半導體產品漲價和交貨周 期延長的現象，2022Q1 功率半導體、電源管理 IC 需求仍處于高位，部分功率半導體交貨周期 超過 1 年，英飛凌、意法半導體、恩智浦等海外功率半導體大廠均表達了對今年功率半導體高 景氣的預期，2022 年全年產能已經全部排滿。中美貿易摩擦使得國內企業建立自主可控供應 鏈意愿更加強烈，近期功率半導體缺貨的情況也會迫使車企加速國內產品導入，我們認為國內 功率半導體有望迎來國產替代加速。 第三代半導體國內外差距相對縮小，為國產替代提供機遇。第三代半導體目前處于發展初 期，國內企業和國際巨頭差距相對較小。中國擁有廣闊的第三代半導體應用市場，可以根據市 場研發產品，改變以往集中于國產化替代的道路。同時第三代半導體的難點在于工藝，而工藝 的開發具有偶然性，相比邏輯芯片難度降低。由于生產過程對設備要求較低，投資額較小，準 入門檻低，對后來追趕者相對較為有利。 國內企業加速布局，SiC 產業鏈初具雛形。碳化硅的產業鏈分為襯底、外延和器件環節。 襯底常用 Lely 法制造，國際主流采用 6 英寸晶圓，正向 8 英寸晶圓過渡；國內襯底以 4 英寸 為主，主要用于 10A 以下小電流產品。外延常用 PECVD 法制造，國內部分公司可提供 4/6 英 寸外延片。器件領域國際上 600-1700V 碳化硅 SBD、MOSFET 都已量產，Cree 已開始布局 8 英寸產線，國內企業碳化硅 MOSFET 還有待突破，產線在向 6 英寸過渡。碳化硅器件領域代 表性的企業中，目前來看在國際上技術比較領先的是美國的 CREE，其覆蓋了整個碳化硅產業 鏈的上下游（襯底-外延-器件），具有核心的技術。 在 SiC 生產應用方面，國內實力也在不斷 強化，華潤微于 2020 年 7 月實現國內首條商用 6 寸 SiC 生產線量產，規劃產能達 1000 片/月； 新潔能亦在第三代半導體投入巨大，目前已掌握多項相關專利，并將重點布局新能源汽車應用領域，計劃推出 SiC 二極管系列產品。 （二）模擬芯片——國產化率進一步提升，汽車芯片增速亮眼 模擬芯片是一種處理連續性模擬信號的集成電路芯片，約占半導體市場規模的 12%。 根據功能，集成電路可以分為模擬集成電路和數字集成電路兩大類，模擬集成電路主要是 指由電阻、電容、晶體管等組成的模擬電路集成在一起用來處理連續函數形式模擬信號的 集成電路，對連續性的聲、光、電、電磁波、速度和溫度等自然模擬信號進行處理，而數 字集成電路是對離散的數字信號進行算術和邏輯運算。根據 SIA 數據，2020 年全球半導 體產品細分市場中，模擬集成電路約占到 12.76%，市場規模接近 741 億美元，是半導體 集成電路的重要細分賽道。 信號鏈管理芯片和電源管理芯片為模擬芯片兩大應用市場。信號鏈管理芯片是指對 模擬信號進行收發、轉換、放大、過濾等處理功能的集成電路，電源管理芯片是指對電池 輸出的固定電壓進行升降壓、穩壓處理，使其達到期望的工作電壓，滿足各個模塊的供電 需要的集成電路。模擬芯片在電路中主要承擔傳輸和能源供給的任務，被廣泛應用于消費 類電子、通訊設備、工業控制、醫療儀器、汽車電子等領域，以及物聯網、新能源、智能 穿戴、人工智能、智能家居、智能制造、5G 通訊等各類新興電子產品領域。 模擬芯片行業增長迅速，市場集中度偏低主要系下游應用分散。根據 WSTS 數據，2021 年全球模擬芯片市場規模 741.05 億美元，2020-2022 年間 CAGR 為 23.2%，2021 年行業實 現了大幅增長，同比增速超過 30%，預期 2022 年市場規模將達到 845 億美元，維持高速 增長態勢。從下游需求來看，預計 2022 年車載模擬芯片市場規模將達到 137.75 億美 元，占總體模擬芯片規模的 16.6%，同比增速達到 17%，受益于新能源汽車的快速發展，車規級模擬芯片將成為模擬芯片所有下游應用領域中增速最快的方向。模擬芯片市場集中 度偏低，從市場份額來看，TI、ADI、Skyworks、英飛凌、意法半導體為市場份額占比靠 前企業，市場份額保持穩定增長。 模擬芯片是高成長、弱周期行業。對比全球半導體芯片的市場增速，模擬芯片行業的 增速波動率普遍低于整個半導體行業，主要系使用壽命較長且應用場景豐富，使得整個全 球模擬芯片行業的供需的波動處于較為穩定狀態，因此模擬芯片的周期性通常弱于數字芯 片及整個半導體寒夜。以 ADI 為例，其約 50%左右收入是來自于 10 年及以上產品貢獻的。國內是模擬芯片消費最主要市場，國產模擬芯片自給率不足 15%。中國模擬芯片行業 市場規模快速增長，2021 年達到了 2731.4 億元的市場空間，占全球模擬芯片市場規模 50% 以上，同比增長 8.2%，隨著技術和國內產業不斷升級，模擬芯片行業供需仍有望持續，預 計 2022 年模擬芯片市場規模將達 2956.1 億元，增速高于全球模擬芯片市場整體增速。據 IBS 估計，到 2027 年中國將消費全球 62.85%的半導體元器件。 國內模擬芯片自給率極低，國產替代正加速進行。據中國半導體協會數據，國內模擬 芯片自給率僅為 12%。，2018 年前，國內模擬芯片廠家在海外巨頭的籠罩下發展十分緩慢， 2018 年的中美貿易摩擦加速了國產替代的進程，在政府的資金、政策的大力支持下，本土 廠商開始快速發展，2020 年新冠疫情爆發以及隨之而來的全球缺芯，進一步加速了國產 芯片的替代。同時受 2021 年模擬芯片市場漲價嚴重和供應鏈安全等因素，國產終端企業 紛紛選擇國內模擬芯片進入供應鏈，模擬芯片國產化替代正在以勢不可擋的態勢加速進行。 隨著新能源汽車的加速滲透，以及美國制裁的影響，國產模擬芯片正迎來快速發展的新機 遇，國內模擬芯片廠商紛紛從消費電子級產品向汽車和工業領域拓展，同時國內新能源車銷量 持續增長帶動汽車座艙、動力、車身域等芯片需求放量。 根據 ICinsights 數據，2021 年全球汽車芯片的出貨量達到 524 億顆。與 2020 年相比，2021 年全球汽車行業的芯片出貨量增長了 30%，遠高于 2020 年全球芯片出貨總量 22%的增幅。近 年來全球模擬芯片應用市場中，預計汽車電子市場應用占比逐年提升，占比從 2018 年的 23% 增長至 2022 年的 24.7%。2021 年國內汽車模擬芯片市場規模約為 458.3 億元，汽車模擬芯片占比模擬芯片市場份額達到 16.7%。從國內模擬 IC 廠商的發展來看，隨著國產替代的推進，國內一批廠商的快速崛起，過去 國產模擬 IC 以中低端產品為主的情況正在逐步改變。國內企業在產品豐富程度、服務、供應 鏈安全上都具備非常顯著的優勢。 （三）激光雷達——行業發展駛入快車道 激光雷達是一種用于獲取精確位置信息的傳感器，通過向目標探測物發送探測信號（激光 束），再將目標發射回來的信號（目標回波）與發射信號進行比較，經過計算便可獲取目標的 相關信息，例如目標的距離、方位、速度等參數，從而對目標進行探測、跟蹤和識別。相比于 普通雷達，激光雷達具有分辨率高、隱蔽性好、抗干擾能力更強的優勢。目前地形測繪是激光 雷達應用最大領域。根據 Yole Intelligence 發布的《2022 年汽車與工業領域激光雷達應用報告》 統計結果，2021 年全球用于汽車與工業領域的激光雷達出貨量預計 30 萬臺，市場規模高達 21 億美元，同比增長 18%。其中，地形測繪是激光雷達最大的應用領域，占比 60%；其次是工業 領域，占比 27%；無人駕駛出租車、ADAS（高級駕駛輔助系統）、風能和國防占比 13%。 汽車市場有望成為激光雷達行業發展的主要動力。隨著汽車智能化推進，以及高級別自動 駕駛技術發展，汽車市場對激光雷達的需求有望快速提升。自 2021 年以來，國外車企 Lucid、 雷克薩斯和梅賽德斯奔馳陸續發布搭載激光雷達技術的車型，國內造車新勢力小鵬、蔚來和理 想也將激光雷達應用在乘用車上。Yole 預測，到 2027 年，ADAS 市場將成為激光雷達最大的 應用市場。目前大部分車輛搭載的自動駕駛是 L2 級別。美國汽車工程師學會（SAE）將汽車的自動 駕駛分為 6 個等級，分別從 L0 到 L5，L2 及以下稱為高級輔助駕駛，L3 及以上稱為自動駕駛。 目前，大部分車輛搭載的自動駕駛技術是 L2 級別。以中國市場為例，2022 年上半年 L2 級輔 助駕駛乘用車新車市場滲透率達到 32.4%，L2 級乘用車上險數量為 288.09 萬輛，同比增長 46.2%。 激光雷達是實現 L3 及以上的必備傳感器。L2 級自動駕駛車輛傳感器以攝像頭+毫米波雷 達+超聲波雷達組成。要實現更高層級的自動駕駛，目前市場上存在兩種技術路線，一種是通 過攝像頭+深度學習神經網絡+計算機硬件的“視覺感知派”，一種是認為激光雷達才是高級別 自動駕駛的未來。激光雷達兼具測距遠、角度分辨率優、受環境光照影響小的特點，且無需深 度學習算法，可直接獲得物體的距離和方位信息。相對于其他傳感器，激光雷達可以顯著提升 自動駕駛系統的可靠性，被大多數整車廠、Tier 1 供應商認為是實現 L3 級及以上的必備傳感 器。 搭載激光雷達的車型陸續上市。2021 年 11 月廣州車展上，多家車企發布了搭載激光雷達 的車型。其中，小鵬 G9 搭載 2 顆；長城機甲龍搭載 4 顆；極狐阿爾法 S 華為版搭載 3 顆。今 年，部分車型已經正式交付，越來越多的新車型也開始搭載激光雷達。國內激光雷達公司積極融資。2021年全球激光雷達領域融資數量為 25 起，融資金額超過 138 億元。其中，2021年我國激光雷達投資數量為 21 起，同比增加 90.91%；投資金額為 50.89 億元，同比增加 155.15%。 光學器件是激光雷達重要組成部分。激光雷達的關鍵部件按信號處理的信號鏈包括控制 硬件 DSP（數字信號處理器）、激光驅動、激光發射發光二極管、發射光學鏡頭、接受光學鏡 頭、APD（雪崩光學二極管）、TIA（可變跨導放大器）和探測器。其中，光學器件在激光雷 達成本占比在 10-20%之間。光學部件方面，激光雷達公司一般為自主研發設計，然后選擇行 業內的加工公司完成生產和加工工序。光學部件國內供應鏈的技術水平已經完全達到或超越 國外供應鏈的水準，且有明顯的成本優勢，已經科技完全替代國外供應鏈和滿足產品加工的需 求。 隨著自動駕駛逐漸向 L3 升級，激光雷達作為大多數汽車廠商實現 L3 及以上的必備傳感 器，其需求有望增加。截至目前，各大汽車廠商紛紛發布搭載激光雷達的車型，激光雷達公司 也獲得資本支持，整個激光雷達行業發展進入快車道。 （四）消費電子——蘋果MR將引領行業崛起，手機端關注光學創新 據 VR 陀螺統計數據顯示，2022 年上半年全球 VR 頭顯出貨量約 684 萬臺，其中 Quest 2 上半年累計銷量約為 590 萬臺，呈現一家獨大的局面。國內 VR 頭顯出貨量約 60.58 萬臺，其 中 Pico 銷量約為 37 萬臺。2022 年上半年全球 AR 頭顯出貨量約 29.6 萬臺，主要出貨在海外， 占總出貨量的 75%以上。國內 AR 頭顯上半年出貨量約 4.8 萬臺。 商用 VR 設備密集發布，消費類 VR 加速滲透。根據 IDC 數據顯示，VR 教育為商用 VR 的第一大應用：VR 教育可以通過 VR 技術來構建虛擬的學習環境，如模擬宇宙中的天體運動、 化學反應等現實中較難實現或存在風險的場景；VR職業教育則主要應用于駕校、汽修等領域， 據東方時尚數據顯示，使用 VR 駕駛模擬器可以幫助駕校節省 30%-40%的運營成本。此外， VR 技術已逐漸在我國的安防、房地產、教育、醫療等領域普及。全球多家科技巨頭如 Facebook、 三星、華為、小米等均已推出 VR 頭戴設備；同時頭部廠商積極拓展軟件生態，擴展 VR 設備 的用戶圈，據 Omdia 預測，到 2025 年，VR 活躍用戶將突破 4,500 萬，消費類 VR 設備數量有 望增加至 4,500 萬臺。 商用 AR 應用持續拓展，消費級 AR 處于起步階段。商用 AR 主要用于企業解決方案和跨 部門的內容創建工具，主要集中在汽車、只要以及醫療保健等領域。商用 AR 仍處于探索階段， 目前大部分應用主要集中在目標識別等基礎領域。消費級 AR 進入短暫低谷期，未來仍是科技 巨頭重點布局方向。 底層共性關鍵技術不斷突破，提升 AR/VR 體驗。在光學顯示領域，4000 PPI 的微小屏幕 已經可以量產，將大大提升顯示效果，AR/VR 屏幕顯示基本無網格；在端側渲染計算上，當 前芯片已經可以支持 8K 60fps，將來可以支持 12K 90fps；在網絡速率上，5.5G 和 F5.5G 將給 移動終端和家庭網絡帶來 Gbps 體驗，足以滿足高清 VR 體驗；在佩戴重量上，VR 眼鏡已經 可以做到小于 170g，AR 眼鏡則小于 80g，佩戴舒適性離普通眼鏡越來越近；在空間交互技術 上，Inside-out 成為主流，結合 Video see through（影像透視）的 MR 虛實融合技術已趨于成熟。 硬件層面，VR/AR/MR 關鍵核心技術是微顯示和光學系統。在 VR 微顯示方面，快速液 晶屏（Fast-LCD）憑借其圖像分辨率可達 4K，響應速度為 4～20 毫秒以及優秀的性價比等， 成為目前消費級 VR 頭顯的主流屏幕。硅基 OLED 的刷新速度很快，可以提供更高的圖像分 辨率、對比度和更短的響應時間，有望成為未來 VR 顯示屏的主流方案。在光學系統方面，菲 涅爾透鏡方案已經非常成熟，普遍能達到 100°以上的視場角，供貨穩定，當前 VR 頭顯普遍 采用菲涅爾透鏡方案、自由曲面或者 Birdbath 方案，但該方案的缺點是體積大、笨重、圖像邊 緣畸變等。未來 Pancake 方案將成為新趨勢， Pancake 多鏡片折疊光路設計，體積僅為傳統菲 涅爾鏡片的 1/4，厚度減少 50％以上，在性能上，Pancake 光學模組效果也更加優異。 傳統 AR 微顯示主要有硅基液晶（LCOS）和數字投影（DLP），兩種技術帶來的顯示亮 度和對比度不夠理想，目前微顯示屏的主流方案是硅基 OLED 和激光掃描顯示（LBS），Micro LED 顯示技術具有超高的圖像分辨率、亮度、對比度、刷新率、色彩還原度、色彩飽和度和大 視場角，兼具超小的體積和功耗，未來有望成為 AR 眼鏡微顯示屏首選方案。在光學方案方面， 自由曲面、BB 方案以及光波導方案共同存在，未來光波導方案有望成為主流。 蘋果公司有望在明年發布 MR。截至目前，蘋果公司在虛擬現實領域的布局主要集中在專 利、軟件層面。2015 年蘋果公司就已經在 VR/AR 相關專利方面進行布局；內容制作上，蘋果 在 2017 年推出 ARKit，使得開發人員可以使用這套工具為 iPhone 和 iPad 創建增強現實應用 程序；2010 年至 2020 年期間，蘋果在虛擬現實領域收購多家公司。據產業鏈調研，蘋果公司 有望在明年發布首款虛擬現實產品 MR。在消費電子領域，蘋果推出的 iPhone、TWS 耳機都 曾引領市場風向，成為各自領域標志性產品，此次蘋果即將推出的 MR 設備有望虛擬現實產業 加速發展。 VR/AR 設備有望成為新一代的主流移動終端，蘋果公司發布新產品有望加速產業發展， 前瞻布局 VR/AR 新興領域的領軍企業有望率先受益，建議關注全球 VR 組裝龍頭企業歌爾股 份以及綁定核心大客戶，布局 MR 結構件等業務的長盈精密等。光學顯示為 VR/AR 設備的核 心器件，成本占比超 30%，建議關注光學元器件領先企業水晶光電、藍特光學等。 智能手機行業發展進入成熟期。全球智能手機出貨量在 2017 年達到峰值，此后行業發展 步入成熟期。今年受宏觀經濟不景氣影響，2022H1 全球智能手機出貨量同比減少 8.9%。IDC 預計，2022 年全球智能手機出貨量為 12.7 億部，同比下降 6.5%，智能手機在明年下半年有望 恢復正常。 高端智能手機份額占比提升。智能手機整體銷量下滑，其中，高端智能手機銷售額同比下 降 8%，表現整體優于整體智能手機市場。隨著 4G iOS 用戶對手機的持續升級，蘋果繼續以 57%的份額引領高端市場。光學升級仍在進行中。盡管智能手機進入存量時代，手機廠商開始積極尋找新的手機性能 以謀求差異化競爭優勢，由于攝像功能升級和成像品質優化能給用戶帶來直觀及明顯的體驗 提升，攝像頭技術創新已成為各大手機廠商進行差異化競爭的焦點。潛望式鏡頭的出現節省轉 換了手機內部空間，使得在達到極高的光學變焦倍數水平下，仍然可以保持較薄的機身，目前 多家安卓廠商均已配置。 根據群智咨詢數據，預計 2022 年全球潛望式攝像頭出貨量為 2.47 億顆，預計到 2025 年 全球潛望式攝像頭出貨量將增至 3.56 億顆。目前多家主流安卓廠商的高端機型已經配置潛望 式鏡頭，在 2017 年的世界移動大會 MWC 上 OPPO 首次展示了潛望式攝像頭結構，實現 5 倍 無損變焦，此后很多手機品牌均推出搭載潛望式攝像頭的機型，例如華為 Mate 40Pro+手機也 搭載了潛望式攝像頭，最大可實現 10 倍光學變焦；小米 10 青春版搭載了 4 個后置攝像頭，可 實現 5 倍光學變焦。 （一）面板——供需雙弱，新一輪產能整合來臨 上輪面板上行周期始于 20 年 Q1，止于 21 年 Q2，自高點以來面板價格下跌超過 12 個月， 不同于上一輪由供給端大量釋放引發的下行周期，本輪下行周期的主導因素是需求端的超預 期下降。并因此引發了近十幾年內從未有過的大規模減產。隨著 7 月開始面板廠的大規模減 產，并且顯示出了進一步減產企穩價格的信心，疊加終端去庫存效果較好，部分抄底需求帶動 面板價格在 9 月底全面止跌，并隨著促銷旺季的帶動，面板價格企穩回升。根據群智咨詢的面 板價格數據顯示，22 年 12 月，大部分品牌對未來需求保持謹慎悲觀的預期，且為控制年末庫 存，電視面板備貨需求呈現向下調整態勢。而供應端產能則呈環比微幅恢復，供需雙方趨勢分 化，因供需基本面并未實現真正的反轉，導致 LCD TV 面板價格上漲恐難以為繼。 根據洛圖科技（RUNTO）數據，今年第一季度，全球 8．5／8．6 代線的稼動率穩定在 91％ 左右，尤其在產能集中的大陸，除 HKC 在 86％左右，廠商均在 92％以上的高位。全球 10／ 10．5 代線的稼動率在 92％左右，最高達到 95％。中國大陸面板廠商京東方（BOE），華星 光電（CSOT），惠科（HKC）已經從 6 月開始大幅度減少母玻璃投片量。其中，BOE 減少約 25％，CSOT 減少約 20％，HKC 減少約 20％。根據 omdia 數據，面板廠商調整其產能利用率 計劃。2022 年 6 月的產能整體利用率為 70%，月環比下降 8%，跌到了近 10 年新低。7 月的 產能整體利用率為 66%，月環比下降 4%。面板廠商原預計將從 8 月開始稍微上調其利用率， 但提升十分有限。預計整個 22Q4 將會維持較低的產能稼動率。 需求端來看，根據 AVC 的數據。2022 年三季度全球 TV 出貨下降 2.7%，環比增長 21.7%； 前三季度全球 TV 累計出貨量 144.6M，同比下降 5.9%，其中高端 OLED TV 出貨 4.5M，增長 2.1%；出貨面積 101M ㎡，同比下降 4.5%；出貨平均尺寸 48.4 寸，較去年同期增長 0.2 寸。 奧維睿沃(AVC Revo)預測 2022 年全球 TV 出貨同比下降 5.9%。 海外 TV 市場持續受到“宅經濟”降溫、高通脹下消費力下降等多重因素影響，TV 需求 整體偏弱，自去年三季度起海外 TV 出貨已連降五個季度。在低價刺激、“世界杯”觀賽及年 底旺季備貨拉動下，三季度新興市場亞太、中東非、拉美出貨量同比轉為正增長，前三季度亞 太、中東非出貨量分別增長 2%、0.7%，拉美下降 7.2%。發達市場中北美前三季度 TV 出貨下 降 11.1%，歐洲 TV 需求持續受到戰爭直接與間接沖擊，前三季度出貨量下降 14.9%，其中東 歐下降 24.3%，西歐下降 10.2%；日本前三季度出貨下降 12.3%。 根據《DISCIEN 全球 TV 面板投片數據報告》顯示，在考慮到 SIO 及 LGD 所做的投片調 整后，2022 年全球 TV 面板產能（統一換算成 G8.5 大板）達到 37.4M，與大幅增長 9.1%的 2021 年相比，同比依舊呈現 1.4%的增長。但增幅相比前幾年已經大幅下降，全球產能擴張周 期迎來尾聲。 根據 DISCIEN 的觀點和數據，從能反映產業集中度的 HHI 指數來看，雖然經歷了 19 年20 年價格長周期下滑帶來的經營陣痛，在陣痛期 SDC L7 關線、蘇州工廠被 CSOT 并購，CEC 成都 G8.6 及南京 G8.5 被 BOE 收入囊中，行業集中度較低寡占 2 型改善至低寡占 1 型，但在 新冠疫情導致需求集中釋放、面板價格持續上漲的推動下，LGD 原本計劃退出的產能基于較 高的收益回調，同時原本板上釘釘的 CHOT 并購案最終由于 CHOT 市值快速上升、BOE 收購 后面臨較高經營風險而擱淺，行業集中度無法進一步提升。但隨著面板價格持續處于低位，行 業產能勢必進一步整合，競爭格局將進一步優化。 （二）被動元件——國產替代邁向中高端，汽車MLCC成為成長新動力 從 2000 年以來 MLCC 供經歷 4 次比較大的周期，分別為 2001-2002 年、2002-2004 年、 2009-2010 年以及 2017-2018 年。最近一次周期高點，行業供給不足，各家廠商紛紛擴產，部 分項目集中在 19 年-21 年投產。隨著 20 年疫情導致供給受限，同時居家帶動的各類電子產品 需求回暖，疊加中國新能源汽車加速滲透等因素，MLCC 再次漲價，而伴隨著 22 年俄烏沖突、 通脹、需求回落、產能釋放等多重因素的影響，MLCC 再次進入下行周期。 隨著全球消費電子需求的低迷，導致被動元器件廠商從 2022Q2 開始庫存持續升高，從庫 存水位來看，被動元器件產業鏈的終端、渠道、原廠的庫存都較高，各大 MLCC 廠商的庫存 大部分都在 1.5-2.5 個月之間，下游代理商庫存水位要比原廠還多，最長的可達 4 個月。 TrendForce 研究顯示，消費規 MLCC 各尺寸平均庫存水位達 90 天以上。據集邦咨詢最新的數 據，11 月份國內 MLCC 現貨市場庫存去化有接近尾聲的跡象，MLCC 售價已有企穩回升之勢， 部分廠商的產能利用率企穩回升，目前 MLCC 的庫存保持在 1-2 個月水平。由于 MLCC 本輪 下跌周期已經持續了 5 個季度，下跌時間也超過了上一輪的下跌周期。因此，今年以來，行業 擴產的速度已經大幅放緩。 根據集微咨詢的數據，全球車用 MLCC 用量將于 2025 年增長至約 6500 億顆，是 2021 年 用量的 1.6 倍；中國市場也處于快速增長狀態，MLCC 用量將從 2021 年的約 1500 億顆提升至 2025 年的超 2800 億顆，占全球比重也將從 2021 年的 37.7%提升至 2025 年的 43.5%。汽車已 經成為 MLCC 增長的主要動力，具體來看，動力系統需約 600 顆；安全系統用量最多，大概 需要 1000-1500 顆 MLCC；舒適系統需求近 1000 顆；娛樂系統也需要 500 顆以上，并隨著顯 示屏等車內電子器件的增加而持續增加。中國新能源汽車用 MLCC 將于 2022 年超過傳統燃油 車的用量；從全球來看，預計到 2025 年，新能源汽車用 MLCC 用量超 3300 億顆，也將超過 傳統燃油車的用量，成為繼 5G 之后，MLCC 的主要增長驅動力。 新能源汽車的爆發，以及汽車電動化智能化的快速滲透，汽車上的多個系統包括 ADAS、 安全系統、娛樂系統、舒適系統以及動力系統對 MLCC 的需求量大增，依照村田的數據測算， 2025 年整體汽車 MLCC 需求量將超 7000 億顆，車用 MLCC 市場需求量將達 2019 年 1.7 倍，其中高端大容量 MLCC 需求量為 2019 年的 2 倍。 （本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關信息，請參閱報告原文。） 詳見報告原文。 精選報告來源：【未來智庫】