孕期養生描述：：價值目錄： 東微半導：國內高性能功率器件引領者 公司是國內高性能功率半導體領域的頭部設計公司，專注半導體器件結構的技術創新，擁有多項半導體器件核心專利。2008年，龔軼與王鵬飛先生作為聯合創始人共同創辦東微半導體，13年東微在國際頂尖期刊《Science》上發表了原創的半浮柵器件技術論文，取得我國半導體核心技術的重大突破。隨后公司在高壓超級結MOSFET等功率器件結構設計上不斷革新，產品打破了大功率充電樁等領域國外廠商的長期壟斷，逐漸成為了國內高性能功率半導體領域的代表公司。 公司實際控制人為聯合創始人龔軼及王鵬飛，均擁有豐富的半導體從業經驗。公司董事長兼總經理龔軼先生曾擔任美國超微半導體公司工程師和德國英飛凌汽車電子與芯片卡部門技術專家；董事兼首席技術官王鵬飛博士，曾擔任德國英飛凌科技存儲器研發中心研發工程師、德國奇夢達公司研發工程師及復旦大學微電子學院教授，提出并制造世界上首個半浮柵晶體管，成果于《Science》發表。目前東微半導擁有2家子公司(廣州動能半導體、香港賽普銳思)以及兩家分公司(上海分公司、深圳分公司)，并作為有限合伙人參與蘇州工業園區蘇納微新創業投資合伙企業（基金）。 器件技術不斷革新，產品性能行業領先 公司產品包括高壓超級結MOSFET（簡稱超結MOS）、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級硅及IGBT(TGBT)等器件類型，中低壓產品應用于高性能同步整流、專用機器人及各類工具電機驅動，高壓產品應用于直流充電樁及車載充電機、變頻及電機驅動、數據中心及通訊電源、光伏及儲能工業電源、大屏幕顯示電源和工業照明等領域。 公司通過器件設計創新實現產品性能領先，在各類器件性能交叉區開發差異化品類拓寬產品能力圈。單管產品封裝形式偏標準化，產品競爭力來源于芯片性能。公司產品性能對標國際一流廠商，鑄就了在超結MOS等細分領域的領先地位；在此基礎上，公司在MOSFET、IGBT等傳統器件結構上進行設計革新，推出了超級硅、TGBT、碳化硅及HybridFET等新品類，可將原傳統器件參數范圍拓寬至品類交叉區，最終實現產品能力圈的擴展。 公司處于高速成長期，研發投入保持高增長 2018-2021年公司營業收入年均復合增長率72.3%；扣非歸母凈利潤年均復合增長率95.1%。在新能源應用的驅動下，公司近五年保持高速成長，2018-2021年公司營業收入年均復合增長率72.3%；扣非歸母凈利潤年均復合增長率95.1%。22年前三季度公司實現營收7.9億元(YoY+41.3%)，歸母凈利潤2億元(YoY+115.62%)，扣非歸母凈利潤1.9億元(YoY+114.5%)，毛利率33.7%(YoY+5.1pct)。 高壓超結MOS目前為公司主要產品，公司研發投入保持高增長。公司主要產品高壓超結MOS在儲能及光伏需求拉動下，1H22占比為78.1%。TGBT產品經過21年小批量過程后進入高速增長期，1H22營收同比增長70倍且占比增至3.7%。在此基礎上，公司持續進行研發投入，保持技術迭代升級。截至1H22，公司研發部共擁有44名研發人員，合計占員工總數的44.90%；1H22研發投入2072.58萬元，同比增長25.60%。 國產化驅動存量替代，新能源加速增量滲透 超結MOSFET：功率器件里程碑式的革新 MOSFET可通過控制電壓實現電路的“導通”或“關斷”，最終對電流與電壓實現調控，是一個快速的“電子開關”。以平面型MOSFET為例，通過控制漏極和源極、柵極與源極之間的電壓，可使得電子在器件中形成“溝道”，實現器件的導通；通過調節電壓的大小可以控制導通電流大小。最終，通過“開”與“關”的切換，配合其他元器件，實現直流電與交流電、電流頻率、電壓高低等狀態的切換。因此，降低器件電流傳輸過程中的損耗（如導通電阻）以提升電能的轉換效率是MOSFET器件技術演進的主要驅動力。 由于下游應用對耐受電壓、開關頻率、導通電阻等器件性能要求不同，MOSFET器件發展出了平面型、溝槽型及超級結等不同結構。平面型MOSFET結構由于芯片面積大（耐壓高）且工藝簡單，可應用于對中小電流的場景；而溝槽型MOSFET相比平面型MOSFET縮短了電流的導通路徑（消除了J-FET電阻），在低壓高電流的場景中被廣泛應用；在此基礎上，為進一步提升溝槽柵結構耐壓能力與導通性能，將電場強度均勻化且用低阻N層設計的超級結MOSFET（SJ-MOS）出現，并廣泛應用于中高壓大電流的電源場景中。 超級結MOSFET突破了“硅極限”，是功率器件里程碑式的革新。在傳統結構的硅器件中，擊穿電壓的提升通常會導致導通電阻的增加即電能轉換效率降低，使得硅基MOSFET擊穿電壓較低。而超級結MOS通過P層和N層交替排列設計，在增大器件擊穿電壓的同時降低了器件的導通電阻，解決了“硅極限”的矛盾關系，實現了能源使用效率的提升，是功率器件里程碑式的革新。 單管產品依靠芯片性能拉開差距，行業格局中短期利好設計公司 單管依靠芯片技術拉開差距，參與者通過芯片設計能力鑄就產品競爭力。功率器件包含單管與模塊兩種產品形式。單管產品封裝形式標準化，產品競爭力來源于芯片結構優化、性能提升以及芯片面積減小帶來的成本降低，對于應用團隊人數配置要求較低，擁有芯片設計差異化能力的廠商在成本可控的基礎上可實現資源的最大化利用。而模塊產品設計與下游應用工況強相關，不僅需要芯片設計團隊還需要培養強大的應用團隊以快速、準確地理解客戶的個性化需求，且產品驗證成本高，一旦定型后替換難度大，因此該模式將給廠商帶來較大的成本開支。 特色工藝代工廠擴產持續，Fabless與IDM界限漸模糊，中短期設計公司受益。與全球功率半導體IDM為主的產能格局不同，我國特色工藝代工廠在政策及市場雙重驅動下迅速成長。我們預計21-25年我國特色工藝代工產能增速將高于IDM產能增速，以華虹為代表的代工平臺產能與工藝成熟度為國內領先，相應地頭部設計公司產能相對充裕且工藝平臺領先，與IDM差異化競爭尚不顯著，短期受益。 超結MOS國產化率仍低，汽車、新能源與5G帶來增量需求 22-25年全球MOSFET市場400V以上的高壓器件占比增加，其中超結MOS占比為54.4%且增速最快。根據Omdia數據，22-25年全球MOSFET產品主流電壓段為200V以下（25年占75.3%）及400V以上（25年占23.5%）。其中，技術壁壘較高的超結MOS作為400V以上的主要器件其市場將從10.5億美元增至11.8億美元。 汽車智能化、電動化拉動MOSFET需求，超結MOS是汽車電動化動力總成的新增器件。MOSFET被廣泛應用于汽車中涉及直流電機、電源等零部件中。在主流中低功率（6.6KW11KW）車載充電機、HVLVDC-DC轉換器（500V以下汽車高壓電池）中，超級結性能優秀、工藝成熟且產品組合最多，是最具性價比的選擇。以英飛凌方案為例，在OBC中超結MOSFET用量可拓展至20個，DC-DC。受益于汽車電動化與智能化，汽車MOSFET平均用量將增加至135個以上。受益于汽車智能化，20-26年MOSFET非動力應用市場將從8.3增至11.1億美元；受益于汽車電動化，包含輕混動的非燃油車動力總成市場將從1.5增至6億美元；ADAS(CAGR20-26=21.9%)與非燃油汽車動力總成(CAGR20-26=26%)市場增速最快。 光伏與儲能應用帶來功率器件需求，單MW功率半導體價值量超2000歐元。隨光伏及儲能等新型直流裝備將接入配電網，配電網的整體架構隨之發生變化。直流設備接入交流電網再以直流或交流的形式分配于儲能設備中，每次電能變換均需用到功率器件。根據英飛凌數據，光伏與儲能配電裝置中單位MW的功率器件價值量約為2000-5000和2500-3500歐元；其中MOSFET為低功率段主要器件，IGBT單管為中功率段主要器件，IGBT模塊則適用于高功率段應用。 預計22-25年全球光伏與電化學儲能裝機量復合增速為27.5%，驅動功率器件需求同步增長。根據CPIA數據，22-25年全球光伏裝機量將從202.5GW增至300GW，我國光伏裝機量將從67.5GW增至100GW。根據Trendforce與CNESA數據，22-25年全球電化學儲能裝機量將以57.6%復合增速由67.5GW增至254GW，我國電化學儲能裝機量將以47.4%復合增速由15.2GW增至48.5GW。MOSFET、IGBT等功率器件作為逆變器與變流器的核心半導體器件，將隨下游裝機量增加同步滲透。 22-25年全球充電樁年需求量將以33%復合增速加速滲透，超結MOSFET需求量大幅增加。根據英飛凌數據，50kW充電樁對應半導體價值量為100美元，其中PFC、DC-DC、AUX等部分均需要用到高壓超結MOS。根據中國充電聯盟數據，22年1-11月我國車樁比為2.6:1，我們預計到2027年車樁比有望達到2:1；隨著全球新能源汽車加速滲透，我們預計22-25年全球充電樁年增量將由410萬座/年增至1094萬座/年，我國充電樁年增量將由250萬座/年增至580萬座/年。 5G帶來功率半導體用量增加，基站、射頻端、霧計算與云計算為主要驅動力。據前瞻產業研究院數據，預計2024年5G基站新建數量有望達到頂峰，預計達到265萬站。隨著5G滲透，據華為數據，4G基站到5G基站其所需功率由6.877kW增至11.577kW，且覆蓋密度增加2倍以上，在功率提升且數量增加驅動下，MOSFET等功率器件用量增加。根據英飛凌數據，傳統MIMO天線過渡為MassvieMIMO天線陣列后所需的MOSFET等功率半導體價值增加3倍至100美元。霧計算與云計算增加帶來運算設備增加，MOSFET作為主要功率器件用量大幅提升。 國產化驅動存量替代，新能源加速增量滲透 公司產品性能比肩國際一流廠商，研發成果轉換效率高 器件設計能力強，產品性能比肩國際一流廠商。以公司超級結GreenMOS系列產品為例，通過自主器件設計和工藝優化，GreenMOS產品解決了常規超級結MOSFET所存在的成品良率低、開關波形震蕩等技術問題，實現了產品優值、導通電阻等性能指標達到國際先進水平，是國內最早進入工業和汽車相關應用領域的功率器件廠商之一。 人均創收能力強且研發成果轉換效率高。公司持續推進底層器件結構的自主創新，在高壓超級結MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET以及TGBT產品領域形成了一系列具有自主知識產權的核心技術，截至1H22公司累計申請專利數為307個，其中包含發明專利131個。21年公司研發人員占比達44%，明顯高于行業其他可比公司；此外，公司21年人均營收貢獻1043萬元，明顯高于其他可比公司，人均貢獻比達37，研發成果轉換效率高。 公司產品結構不斷優化，客戶覆蓋各行業龍頭 公司產品線豐富，客戶覆蓋各應用領域頭部廠商。截止1H22公司共計擁有產品規格型號1958款；其中高壓超級結MOSFET產品（含超級硅MOSFET）1150款（覆蓋工作電壓范圍500V-950V），中低壓屏蔽柵MOSFET產品710款（覆蓋工作電壓范圍25V-200V），TGBT產品98款（600V-1350V），客戶涵蓋各應用領域頭部廠商。 公司1H22汽車與工業級應用已超70%，庫存周轉天數優于行業平均水平。截至1H22公司直流充電樁收入占比超17%(YoY+60%)，光伏逆變器收入占比約10%(YoY+300%)，車載充電機收入占比超14%，約為去年同期14.5倍，各類工業及通信電源領域收入占比約21%(YoY+58%)；3Q22汽車與工業應用占比在此基礎上持續提升。3Q22庫存周轉天數約為66.5天，明顯低于功率半導體行業平均水平，庫存保持健康狀態。 TGBT與碳化硅等新產品打開公司多維增長空間 22-25年全球IGBT市場將12.1%復合增速增長至136億美元，公司TGBT產品性能優異，業務進入高速增長期。根據Omdia數據，22-25年全球IGBT市場將從96.7億美元增至136億美元。公司自主設計的TGBT產品通過創新性結構實現了在導通壓降、開關速度等IGBT關鍵技術參數上的提升，對基于傳統trench-gateFS-IGBT技術的芯片順利進行替代，已在光伏逆變器、儲能、直流充電樁、電機驅動等領域獲客戶批量應用。1H22公司TGBT實現收入1710.46萬元，同比增長70倍以上。 22-25年全球碳化硅器件市場將以42%復合增速增長至43億美元，公司已推出碳化硅產品。與Si相比，SiC擊穿場強是Si的10倍，導電能力更強，且熱導率及熔點是Si的2-3倍，電子飽和速度是Si的2-3倍，性能優異，未來將在中功率大電流場景中快速滲透。我們結合Yole數據測算，預計SiC器件市場將從2021年10.9億美元增至2025年43億美元以上，復合增速達42%。其中，新能源汽車將從2021年6.7億增至2025年34億美元，復合增速51%，占整個市場80%。目前公司SiCMOSFET器件已申請多項專利，部分新能源車載充電機客戶已使用公司開發的并聯SiC二極管的高速系列TGBT產品，并初步獲得批量訂單，未來，隨著碳化硅行業加速滲透，公司該業務有望同步快速成長。 盈利預測 假設前提。高壓MOSFET產品及晶圓：公司高壓超結MOS主要用于光伏與儲能、新能源汽車車載充電器、直流充電樁及工業電源等領域。在儲能與光伏逆變器領域，公司超結MOS已實現對部分IGBT應用替代，高壓超結MOS營收占比持續增加，預計22年全年將超75%以上。考慮公司12英寸產能增加且良率不斷提升，8英寸轉12英寸后產出芯片數量翻倍成本有望下降，相應地產品單價將部分下調而毛利有望逐步提升，預計公司產能將支撐22-24年高壓MOSFET業務增速為50%/34%/24%,對應22-24年收入約8.6/11.5/14.3億元。 中低壓屏蔽柵MOSFET產品及晶圓：公司中低壓屏蔽柵MOSFET主要用于數據中心、汽車電子及通信與工業電源等領域，考慮工業等應用增速相比新能源應用較慢，我們預計中低壓屏蔽柵MOSFET業務22-24年增速為8.9%/14.4%/24.4%，對應營收2.2/2.6/3.2億元。TGBT產品：TGBT產品經過21年小批量過程后22年進入高速增長期，多款產品已經進入光伏逆變、儲能、車載充電機等領域的頭部企業并批量供貨，我們預計TBGT產品22-24年增速為874%/300%/100%，對應營收0.55/2.21/4.43億元。 超級硅產品（含其他新產品）：公司超級硅產品已批量進入中車株洲、航嘉馳源、易米通科技、視源股份、富安電子、碩通電子等客戶以及微逆變龍頭EnphaseEnergy，目前處于技術升級應用滲透的過程中，23年預計超級硅系列產品進入小批量供應，24年有望在客戶端逐步放量；此外考慮加入碳化硅的新結構產品逐步放量，我們預計超級硅產品（含其他新產品）22-24年增速為20%/400%/500%，對應營收0.02/0.13/0.77億元。 東微半導(SH688261) 研報來源和作者：國信證券[胡劍,葉子,胡慧,李梓澎,周靖翔] 研報原文PDF：東微半導(688261)高性能功率器件的技術引領者-國信證券[胡劍,葉子,胡慧,李梓澎,周靖翔]-20221228【25頁】